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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利半导体器件的电极制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510374463.2，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体器件的电极制备方法是由李玲;魏晓光;孙宁飞;刘瑞;唐新灵;王耀华;焦倩倩;吴沛飞设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的电极制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的电极制备方法。该电极制备方法包括：提供半导体基体和供体衬底，半导体基体具有第一表面，第一表面中具有凸台结构，供体衬底具有第二表面；在第二表面上形成转印薄膜，转印薄膜的材料包括导电材料；将转印薄膜与凸台结构的顶部台面贴合；采用转印技术将半导体基体与供体衬底分离，以使顶部台面拾取转印薄膜中与顶部台面贴合的导电材料，其中，转印技术通过控制剥离速度实现拾取；对顶部台面的导电材料进行固化，以得到半导体器件的电极。通过本申请，解决了现有技术中半导体器件的台面电极图形化均匀性低的问题。

本发明授权半导体器件的电极制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的电极制备方法，其特征在于，所述半导体器件为IGCT器件，所述电极制备方法包括： 提供半导体基体和供体衬底，所述半导体基体具有第一表面，所述半导体基体具有相对的第一端和第二端，所述第一端指向所述第二端的方向与所述第一表面平行，所述第一表面中具有凸台结构，所述凸台结构的台面高度为15~20μm，所述供体衬底具有第二表面； 在所述第二表面上形成转印薄膜，所述转印薄膜的材料包括导电材料； 将所述半导体基体转移至所述转印薄膜背离所述供体衬底的一侧表面； 向所述半导体基体施压，以使所述转印薄膜与所述凸台结构的顶部台面贴合，其中，在所述导电材料为液态金属的情况下，采用第一压力向所述半导体基体施压，所述第一压力为5~10N，在所述导电材料为固态金属的情况下，采用第二压力向所述半导体基体施压，所述第二压力为50~100N； 将所述半导体基体从所述第一端抬起； 采用第一剥离速度将所述半导体基体以及所述转印薄膜中与所述顶部台面贴合的所述导电材料从所述供体衬底上剥离，直至所述第二端与所述供体衬底分离，以使所述顶部台面拾取所述转印薄膜中与所述顶部台面贴合的所述导电材料，其中，所述转印技术通过控制剥离速度实现所述拾取，所述第一剥离速度为10~30cms； 对所述顶部台面的所述导电材料进行固化，以得到所述半导体器件的电极，所述顶部台面为所述IGCT器件的阴极台面，所述电极为阴极。

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