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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十六研究所申请的专利一种半导体功率器件用超薄衬底沉积厚层硅外延片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119859846B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510336401.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种半导体功率器件用超薄衬底沉积厚层硅外延片的方法是由傅颖洁;刘云;龚一夫;李明达;李杨;赵扬;李世才;边娜;翟玥设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体功率器件用超薄衬底沉积厚层硅外延片的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体功率器件用超薄衬底沉积厚层硅外延片的方法。通过综合设计区别于传统生长温度、加热功率、升温时间、降温时间等关键工艺参数，克服了传统工艺容易生成层错、位错、滑移线、桔皮以及背面和边缘晶点吸附等外延的诱生缺陷。简化了传统工艺过程，工艺简便，降低了工业化连续生产成本，实现了在6英寸、8英寸超薄硅衬底上批量沉积厚层硅外延片。实现了产品参数均匀性好，五点厚度不均匀性0.8%，满足业内市场对6英寸、8英寸超薄衬底厚层硅外延片的需求。

本发明授权一种半导体功率器件用超薄衬底沉积厚层硅外延片的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件用超薄衬底沉积厚层硅外延片的方法，其特征在于，包括依次进行如下步骤： S1、硅外延炉反应腔体升温至1120~1140℃，通入氯化氢和氢气对反应腔体及石墨基座进行刻蚀清洗，所述氯化氢气体流量为30~35Lmin，氢气气体流量为25~30Lmin，刻蚀清洗时间为15~16min； S2、所述硅外延炉反应腔体开始降温，降温到300~350℃后，继续等待300~360sec后将超薄硅衬底片居中放入硅外延炉反应腔体的石墨基座的片坑内，以避免所述超薄硅衬底片发生放片位置的严重偏移； S3、对所述硅外延炉反应腔体及石墨基座从初始的300~350℃开始进行加热，首先进行功率加热，初始设定加热功率为20kW，升高至78~80kW，时间设定为480~540sec，对应硅外延炉反应腔体升温至900~930℃，然后保持恒定功率继续升温，使硅外延炉反应腔体最终升温至1040~1060℃，随后对所述超薄硅衬底片表面进行烘烤，烘烤时间设定为3~5min；采用慢升温的设计，将所述硅外延炉反应腔体从初始温度升温至1040~1060℃的总时间设定为800~1000sec，用于减少超薄硅衬底片在加热过程中发生严重形变导致破裂的情况； S4、采用氢气携带三氯氢硅作为生长硅源，在所述超薄硅衬底片的抛光表面上进行硅外延层的生长，所述石墨基座转速设定为3~4rmin，石墨基座转速的加速度设定为0.4~0.6rmin2，用于减少超薄硅衬底片在石墨基座旋转过程中发生位置的严重偏移，氢气流量为180~200Lmin，三氯氢硅的流量为7~8gmin，硅外延层生长温度为1020~1040℃，生长速率设定为1.2~1.5μmmin，用于减少厚层硅外延层在生长过程的应力持续积累导致破裂的发生；硅外延层的目标厚度为125~135μm，目标五点厚度不均匀性0.8%，达到硅外延层的目标厚度后即形成厚层硅外延片； S5、通入氮气吹扫硅外延炉反应腔体，氮气吹扫流量为100~150Lmin，氮气吹扫时间为10~15min，硅外延炉反应腔体降温到300~350℃，降温时间为700~840sec，然后从硅外延炉反应腔体的石墨基座的片坑内取出厚层硅外延片。

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