陛通半导体设备(苏州)有限公司杨林获国家专利权
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龙图腾网获悉陛通半导体设备(苏州)有限公司申请的专利可减少晶圆背面镀膜的物理气相沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119776781B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510288052.1，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权可减少晶圆背面镀膜的物理气相沉积设备是由杨林;睢智峰;周云;曹辉;解文俊;王青仙;宋维聪设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本可减少晶圆背面镀膜的物理气相沉积设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种可减少晶圆背面镀膜的物理气相沉积设备，包括：沉积腔体、位于沉积腔体内的支撑底座及支撑环；所述支撑环环设于支撑底座周向边缘上方，支撑环包括第一部分和第二部分，第一部分的中央具有显露出支撑底座中心区域的开孔，第一部分的环状面上设置有用于在沉积过程中与晶圆背面直接接触，以将晶圆架设于支撑底座上的第一环状凸起；第二部分环接于第一部分的外侧，第二部分的上表面低于第一部分，以使得晶圆背面最外围区域处于悬空状态，且第二部分的外围向下延伸到支撑底座的侧面。本发明可在有效减少碎片风险的同时避免晶圆背面镀膜，且有助于减少黏片风险，提高工艺良率。
本发明授权可减少晶圆背面镀膜的物理气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种可减少晶圆背面镀膜的物理气相沉积设备，其特征在于，包括：沉积腔体、位于沉积腔体内的支撑底座及支撑环；所述支撑环环设于支撑底座周向边缘上方，支撑环包括第一部分和第二部分，第一部分的中央具有显露出支撑底座中心区域的开孔，第一部分的环状面上设置有用于在沉积过程中与晶圆背面直接接触，以将晶圆架设于支撑底座上的第一环状凸起；第二部分环接于第一部分的外侧，第二部分的上表面低于第一部分，以使得晶圆背面最外围区域处于悬空状态，且第二部分的外围向下延伸到支撑底座的侧面；第二部分的上表面具有第二环状凸起，第二环状凸起与第一环状凸起之间具有间距，且第二环状凸起的高度低于第一环状凸起。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人陛通半导体设备(苏州)有限公司，其通讯地址为：215413 江苏省苏州市太仓市大连东路36号3#1-2层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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