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龙图腾网获悉上海芯炽集成电路技术有限公司申请的专利一种电平转换电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119788058B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510287154.1，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种电平转换电路是由吴光林;刘正军;程剑平设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电平转换电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种电平转换电路，通过偏置电压VBIAS电路，以及低电压域的逻辑电平信号由NMOS管M21和M22的源端输入，加强NMOS管M21和M22的电流输出能力，提高电平转换电路的速度，可以工作在更低的电源电压。当电平转换电路使能时，偏置管MBIAS没有体效应，而NMOS管M21或M22具有体效应，利用MOS管体效应带来的阈值电压差导致NMOS管M21或M22关闭，使电平转换电路具有零静态功耗；偏置管MBIAS和NMOS管M21、M22均为厚栅NMOS管，有较好的匹配性，因此电平转换电路的速度和静态漏电流随工艺变化较小。当电平转换电路数量较多时，可以共用同一个偏置电路，降低电路功耗。

本发明授权一种电平转换电路在权利要求书中公布了：1.一种电平转换电路，其特征在于，包括NMOS管M21和M22、PMOS管M23和M24、反相器I20和I21、开关SW1~SW5、偏置管MBIAS、偏置电流IBIAS； NMOS管M21的衬底端和NMOS管M22的衬底端均接地；反相器I20的输入端接逻辑信号D，输出端同时接NMOS管M21的源端和反相器I21的输入端，反相器I21的输出端接NMOS管M22的源端；NMOS管M21的栅端和NMOS管M22的栅端相连；NMOS管M21的漏端同时接PMOS管M23的漏端和PMOS管M24的栅端，NMOS管M22的漏端同时接PMOS管M24的漏端和PMOS管M23的栅端；PMOS管M23和M24的源端均接高电压域VDDH； 偏置电流IBIAS的输入端接高电压域VDDH，输出端同时接偏置管MBIAS的漏端、开关SW3的第一端、NMOS管M21的栅端和NMOS管M22的栅端，开关SW3的第二端接地；偏置管MBIAS的栅端接开关SW3的第一端，衬底端同时接开关SW1的第一端和开关SW2的第一端，开关SW1的第二端和偏置管MBIAS的源端共同接低电压域VDDL，开关SW2的第二端接地； 开关SW5的第一端接高电压域VDDH，第二端接NMOS管M22的漏端；开关SW4的第一端接NMOS管M22的漏端，第二端接地； 当电平转换电路使能，使能信号EN=1，使能信号的反信号ENB=0，开关SW1打开，开关SW2、SW3、SW4、SW5关闭，偏置管MBIAS的源端和衬底端均连接至VDDL， 所述开关SW4和开关SW5分别为下拉开关和上拉开关；当电平转换电路不使能，EN=0，ENB=1，开关SW1关闭，开关SW2、SW3打开，偏置管MBIAS的衬底端连接至地，偏置电压为0，NMOS管M21和M22关闭；通过PD控制信号打开开关SW4，使电平转换电路输出端OUT为固定的低电平，或者通过PU控制信号，打开开关SW5，使电平转换电路输出端OUT为固定的高电平。

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