合肥晶合集成电路股份有限公司宋玉涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件的制造方法及半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119815907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510272617.7,技术领域涉及:H10D84/03;该发明授权一种半导体器件的制造方法及半导体器件是由宋玉涛;张新;郭廷晃设计研发完成,并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制造方法及半导体器件在说明书摘要公布了:本发明提供了一种半导体器件的制造方法及半导体器件,通过蚀刻部分第二层间介质层和部分第一层间介质层,形成第一类沟槽于栅极结构的侧方,同时蚀刻部分第一层间介质层,形成第二类沟槽于栅极结构上方;蚀刻第二层间介质层,形成凸部结构、第一布线沟槽和第二布线沟槽,其中凸部结构的一侧为第一布线沟槽,凸部结构的另一侧为第二布线沟槽;蚀刻第一层间介质层和第二层间介质层,拓深第一类沟槽和第二类沟槽,直到第一类沟槽与半导体结构的金属硅化物连接且第二类沟槽与栅极结构的栅氧化层连接;填充部分第二类沟槽,形成金属栅极,同时形成填充第一类沟槽和部分第二类沟槽,形成接触栓塞;以及填充第一布线沟槽和第二布线沟槽,形成金属层。
本发明授权一种半导体器件的制造方法及半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤: 提供一半导体结构,所述半导体结构包括衬底和栅极结构,所述栅极结构设置在所述衬底上; 形成第一层间介质层于所述半导体结构上,形成第二层间介质层于所述第一层间介质层上; 蚀刻部分所述第二层间介质层和部分所述第一层间介质层,形成第一类沟槽于所述栅极结构的侧方,同时蚀刻部分所述第一层间介质层,形成第二类沟槽于所述栅极结构上方; 蚀刻所述第二层间介质层,形成凸部结构、第一布线沟槽和第二布线沟槽,其中凸部结构的一侧为所述第一布线沟槽,所述凸部结构的另一侧为所述第二布线沟槽; 蚀刻所述第一层间介质层和所述第二层间介质层,拓深所述第一类沟槽和所述第二类沟槽,直到所述第一类沟槽与所述半导体结构的金属硅化物连接且所述第二类沟槽与所述栅极结构的栅氧化层连接; 填充部分所述第二类沟槽,形成金属栅极,同时形成填充所述第一类沟槽和部分所述第二类沟槽,形成接触栓塞;以及 填充所述第一布线沟槽和所述第二布线沟槽,形成金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司,其通讯地址为:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。