青岛海存微电子有限公司徐陈林获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛海存微电子有限公司申请的专利半导体存储结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119742302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510252578.4，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权半导体存储结构及其制造方法是由徐陈林;熊丹荣;马晓姿;张超;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体存储结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于解决现有技术为实现电磁屏蔽功能额外设置磁屏蔽层导致的工艺步骤和成本增加的问题。该半导体存储结构包括：数据存储结构以及设置于数据存储结构外周的外部屏蔽结构；数据存储结构包括至少一个磁隧道结；外部屏蔽结构由外部屏蔽层和至少一个第一导电结构水平连接形成封闭图形，第一导电结构两端具有电位差；磁隧道结和外部屏蔽层均基于磁隧道结膜堆同步刻蚀得到。通过设置外部屏蔽结构并形成等电位体，有效实现数据存储结构的电磁屏蔽；磁隧道结和外部屏蔽层基于磁隧道结膜堆同步刻蚀得到，不用增加额外的工艺步骤，有效降低了制造成本。
本发明授权半导体存储结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储结构，其特征在于，至少包括： 数据存储结构以及设置于数据存储结构外周的外部屏蔽结构； 所述数据存储结构包括至少一个磁隧道结； 所述外部屏蔽结构由外部屏蔽层和至少一个第一导电结构水平连接形成封闭图形，所述第一导电结构两端具有电位差； 所述磁隧道结和所述外部屏蔽层均基于磁隧道结膜堆同步刻蚀得到。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛海存微电子有限公司，其通讯地址为：266404 山东省青岛市黄岛区映山红路117号1栋1605室(原黄岛区科教二路117号1栋研发中心办公室)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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