吉林省科技创新研究院;佛山市中山大学研究院卢星获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林省科技创新研究院;佛山市中山大学研究院申请的专利一种短尺寸的氧化镓功率器件边缘终端结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698052B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510207163.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种短尺寸的氧化镓功率器件边缘终端结构及其制备方法是由卢星;王钢;陈梓敏;裴艳丽;盛安琪;李青设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种短尺寸的氧化镓功率器件边缘终端结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种短尺寸的氧化镓功率器件边缘终端结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。短尺寸的氧化镓功率器件边缘终端结构包括依次层叠设置的氧化镓漂移层、n型掺杂氧化镓衬底和阴极，本发明将刻蚀台面终端结构与场限环终端结构结合，形成了双沟槽埋层p型终端结构，当器件处于反向偏置下时，耗尽区会沿着沟槽底部的埋层p型层扩展，有效平滑了器件边缘的电场分布，提高了器件的击穿电压。在同等级的击穿电压下，相比于传统的场限环结构，双沟槽埋层p型终端结构的尺寸更小，有利于减小器件的寄生参数、提高芯片集成度。
本发明授权一种短尺寸的氧化镓功率器件边缘终端结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种短尺寸的氧化镓功率器件边缘终端结构，其特征在于，包括依次层叠设置的氧化镓漂移层、n型掺杂氧化镓衬底和阴极； 所述n型掺杂氧化镓衬底上外延生长氧化镓漂移层制得n型掺杂的氧化镓基晶圆片；所述的氧化镓漂移层远离n型掺杂氧化镓衬底的一侧沉积p型氧化物半导体形成第一异质pn结区域，所述的p型氧化物半导体表面设有阳极； 所述的第一异质pn结区域边缘通过刻蚀形成双沟槽，所述双沟槽的沟槽底部和双沟槽之间形成的台面顶部均沉积p型氧化物半导体形成第二异质pn结区域； 所述的双沟槽填充钝化层，钝化层覆盖第二异质pn结区域的p型氧化物半导体以及n型掺杂的氧化镓基晶圆片边缘的氧化镓漂移层，所述的钝化层表面设有场板电极，所述的场板电极与阳极相接。
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