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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510137620.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其制造方法是由朱名杰;张基东设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：形成伪栅于衬底包括的NMOS器件区上和PMOS器件区上；形成功能层于伪栅侧壁上和衬底上，PMOS器件区在伪栅和伪栅侧壁功能层下之外的区域为预留区域；在功能层形成后形成覆盖NMOS器件区且在PMOS器件区上开口的光阻层；利用光阻层作掩膜进行功能层的刻蚀直到露出预留区域的表面，之后去除光阻层；形成预备沟槽于预留区域中。其中，通过循环执行第一步骤和第二步骤来形成功能层，第一步骤包括形成覆盖伪栅和衬底的子功能层，第二步骤包括从衬底上方向下通入刻蚀气体对子功能层进行刻蚀直到子功能层在伪栅顶部的部分被刻蚀掉。本申请以较低成本实现NMOS器件和PMOS器件的伪栅等高。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，包括： 提供一衬底，所述衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区； 形成伪栅于所述NMOS器件区上和所述PMOS器件区上； 形成表面保护层于所述伪栅上和所述衬底上 形成功能层于所述伪栅侧壁上和所述衬底上，所述功能层覆盖所述表面保护层在所述伪栅侧壁上和所述衬底上的部分，所述PMOS器件区在所述伪栅和所述伪栅侧壁功能层下之外的区域为预留区域； 在所述功能层形成后形成覆盖所述NMOS器件区且在所述PMOS器件区开口的光阻层； 利用所述光阻层作掩膜进行所述功能层的刻蚀后利用所述光阻层作掩膜进行所述表面保护层的刻蚀，其中，刻蚀所述功能层直到露出所述表面保护层在所述预留区域上的部分，刻蚀所述表面保护层直到露出所述预留区域的表面，之后去除所述光阻层； 形成预备沟槽于所述预留区域中； 其中，通过循环执行第一步骤和第二步骤来形成功能层于所述伪栅侧壁上和所述衬底上，所述第一步骤包括：形成覆盖所述伪栅和所述衬底的子功能层，所述第二步骤包括：从所述衬底上方向下通入刻蚀气体对所述子功能层进行刻蚀直到所述子功能层在所述伪栅顶部的部分被刻蚀掉。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。