晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司张基东获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119584632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510137625.0,技术领域涉及:H10D84/03;该发明授权半导体结构及其制造方法是由张基东;朱名杰设计研发完成,并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了:本申请公开了半导体结构及其制造方法,该制造方法包括:提供一衬底,衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区;形成伪栅于NMOS器件区上和PMOS器件区上;形成功能层于伪栅上和衬底上,所述PMOS器件区在所述伪栅和所述伪栅侧壁功能层下之外的区域为预留区域;形成覆盖NMOS器件区上功能层且在PMOS器件区上开口的光阻层;利用光阻层作掩膜进行功能层的刻蚀直到露出预留区域的表面,之后去除光阻层;形成预备沟槽于预留区域中。本申请能够使NMOS器件的伪栅高度下降并且减小NMOS器件和PMOS器件的伪栅高度差。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构的制造方法,包括: 提供一衬底,所述衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区; 形成伪栅于所述NMOS器件区上和所述PMOS器件区上; 形成表面保护层于所述伪栅上和所述衬底上; 形成功能层于所述表面保护层上,所述PMOS器件区在所述伪栅和所述伪栅侧壁功能层下之外的区域为预留区域; 将位于所述伪栅顶部的功能层刻蚀掉; 形成覆盖所述NMOS器件区上功能层和伪栅顶部且在所述PMOS器件区上开口的光阻层; 利用所述光阻层作掩膜进行所述功能层和所述表面保护层的刻蚀直到露出所述预留区域的表面,之后去除所述光阻层; 形成预备沟槽于所述预留区域中。
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