纳晶科技股份有限公司余建星获国家专利权
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龙图腾网获悉纳晶科技股份有限公司申请的专利复合粒子及其制备方法、LED封装体制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119552317B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510132030.6，技术领域涉及：C08F265/06；该发明授权复合粒子及其制备方法、LED封装体制备方法是由余建星;苏昱恺;杨任伟;白俊设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合粒子及其制备方法、LED封装体制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种复合粒子及其制备方法，LED封装体的制备方法。该复合粒子包括核和壳，核包括刺激响应性单体和乙烯基单体的交联产物，和抗氧剂，抗氧剂分散在交联产物中；壳包括聚丙烯酸酯，壳的厚度为1~10nm；交联产物在200~400nm波长下照射可发生异构化或破裂。上述复合粒子可以使得其在被使用之前，保存完好。在其被使用时，在200~400nm波长下照射可发生异构化或破裂，其薄壳也随之塌陷，使得抗氧剂暴露，从而保护和该复合粒子共同使用的其他物质；在和硅胶胶水共同使用时，避免了抗氧剂提前接触到硅胶胶水中的金属催化剂使其失效。
本发明授权复合粒子及其制备方法、LED封装体制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合粒子，其特征在于，所述复合粒子包括核和壳，所述核包括刺激响应性单体和乙烯基单体的交联产物，和抗氧剂，所述抗氧剂分散在所述交联产物中；所述壳包括聚丙烯酸酯，所述壳的厚度为1～10nm；所述交联产物在200～400nm波长下照射发生异构化或破裂，基于异构化时，所述刺激响应性单体包括偶氮苯和乙烯基。
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