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龙图腾网获悉成都电科蓉芯科技有限公司申请的专利一种芯片功耗的检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119535183B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510107866.0，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种芯片功耗的检测方法及系统是由彭磊;叶锦宏;张文远;苟绍予设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片功耗的检测方法及系统在说明书摘要公布了：本申请涉及芯片功耗检测技术领域，提供了一种芯片功耗的检测方法及系统，包括通过红外热像仪获取目标芯片不同负载下的目标红外图像；计算不同负载下目标芯片对应的目标功耗值；将目标功耗值与标准功耗值进行第一对比，若差值超出第一预设范围，则判定目标芯片功耗异常；若差值在第一预设范围内，则将目标功耗值对应的目标红外图像与当前负载下的标准红外图像进行第二对比；若第二对比的结果为小于第一阈值，则基于每个像素点的温度梯度识别出异常区域，根据预设判断策略在异常区域上标记出异常结果。实现了加速芯片功耗检测流程，降低了成本，还增强了故障识别的能力，为芯片质量控制提供了有力支持。

本发明授权一种芯片功耗的检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种芯片功耗的检测方法，其特征在于，包括： 通过红外热像仪获取目标芯片不同负载下的目标红外图像； 将所述不同负载下的目标红外图像输入至计算模型中，得到不同负载下所述目标芯片对应的目标功耗值；所述计算模型基于神经网络模型构建，并通过包含多种负载条件下目标芯片红外图像及其对应实际功耗数据的训练集和验证集进行训练；所述训练集和验证集是从数据集中筛选得到的，所述数据集通过红外热像仪对目标芯片在不同负载条件下进行红外成像获取多张红外图像，并使用功耗检测仪测量并记录每张红外图像对应的实际功耗数据； 将所述目标功耗值与标准功耗值进行第一对比，若差值超出第一预设范围，则判定所述目标芯片功耗异常；若差值在第一预设范围内，则将所述目标功耗值对应的目标红外图像与当前负载下的标准红外图像进行第二对比；若所述第二对比的结果为相似度大于或等于第一阈值，则判定所述目标芯片功耗合格；若所述第二对比的结果为小于第一阈值，则基于所述目标红外图像每个像素点的温度梯度识别出温度变化超过第二预设范围的异常区域，根据预设判断策略在所述异常区域上标记出异常结果； 所述判断策略包括：若所述异常区域的温度与周围区域的温度的差值为正，且所述差值大于第二阈值，则标记所述异常区域为短路；若所述异常区域的温度与周围区域的温度的差值为负，且所述差值的绝对值大于第二阈值，则标记所述异常区域为断路； 其中，基于所述目标红外图像每个像素点的温度梯度识别出温度变化超过第二预设范围的异常区域的步骤，具体包括： 利用异常点识别模型对所述目标红外图像进行识别，获得目标异常点的坐标数据；异常点识别模型包括：利用Sobel算子分别计算目标红外图像在x方向和y方向上的温度梯度，根据所述温度梯度计算出每个像素点的梯度幅值和梯度方向，若任一像素点的梯度幅值超过了预设第三阈值，则标记为可能异常点；检测所述可能异常点与相邻像素点梯度方向差值，若所述梯度方向差值超过预设的角度阈值，则标记为目标异常点； 检查每个目标异常点周围预设邻域内的其他像素点，如果所述预设邻域内有其他异常点，则将目标异常点和预设邻域内有其他异常点合并为同一异常区域。

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