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龙图腾网获悉江苏帝奥微电子股份有限公司申请的专利一种芯片基准电压的修调电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119356463B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411942768.0，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种芯片基准电压的修调电路是由俞向荣;徐飞设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片基准电压的修调电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片基准电压的修调电路，包括：当使能信号为高电平时，低使能放电模块关断，可调缓冲单元根据外部基准电压和调压信号产生预设电压，产生的预设电压经由快充通路、慢充通路和滤波电容组成的低通滤波网络后产生基准电压；异常状态检测单元用于修调电路的异常检测，若存在异常，异常状态检测单元的输出信号为高电平，控制快充控制单元的输出信号为低电平，快充通路打开，通过快充控制单元控制快充通路的开启时间，并向快充控制单元输入跟随速度修调信号，将产生的基准电压修调到与预设电压相同。本发明通过修调信号对芯片基准电压的性能进行调整，可以满足设备在不同工作状态下的性能需求。

本发明授权一种芯片基准电压的修调电路在权利要求书中公布了：1.一种芯片基准电压的修调电路，其特征在于，包括：可调缓冲单元（101）、异常状态检测单元（102）、快充控制单元（103）、快充通路（104）、慢充通路（105）、滤波电容C1（106）和低使能放电模块（107）； 当使能信号EN为高电平时，所述低使能放电模块（107）关断，所述可调缓冲单元（101）根据外部基准电压VREF和调压信号产生预设电压VREF_PRE，产生的预设电压VREF_PRE经由快充通路（104）、慢充通路（105）和滤波电容C1（106）组成的低通滤波网络后产生基准电压VREF_RC； 当使能信号EN为低电平时，所述低使能放电模块（107）导通，滤波电容C1（106）上的电荷通过低使能放电模块（107）流向预设电压VREF_PRE，并且预设电压VREF_PRE由低使能放电模块（107）放电到地； 所述异常状态检测单元（102）用于修调电路的异常检测，若存在异常，异常状态检测单元（102）的输出信号SH为高电平，控制快充控制单元（103）的输出信号ON为低电平，快充通路（104）打开，通过快充控制单元（103）控制快充通路（104）的开启时间，并向快充控制单元（103）输入跟随速度修调信号，将产生的基准电压VREF_RC修调到与预设电压VREF_PRE相同； 所述可调缓冲单元（101）包括：运算放大器A1、第六PMOS管MP6、第一电阻R1、可调电阻R2，所述运算放大器A1的同相输入端分别与第一电阻R1的一端、可调电阻R2的一端连接，所述第一电阻R1的另一端接地，所述运算放大器A1的反相输入端与外部基准电压VREF连接，所述运算放大器A1的输出端与第六PMOS管MP6的栅极连接，所述第六PMOS管MP6的源极与电源电压VIN连接，所述第六PMOS管MP6的漏极与可调电阻R2的另一端作为可调缓冲单元（101）的输出端接入低使能放电模块（107）、快充通路（104）的输入端和慢充通路（105）的输入端；所述可调电阻R2的阻值受y路调压信号控制，所述运算放大器A1的控制端与使能信号EN连接； 所述异常状态检测单元（102）包括：第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、电流源I1、第一电容C2、第二电容C3、第一施密特反相器SMIT1、第一反相器INV1和或门OR1，所述第四NMOS管MN4的栅极、第一反相器INV1的输入端均与使能信号EN连接，所述第四NMOS管MN4的源极与电流源I1的输入端连接，电流源I1的输出端接地；所述第四NMOS管MN4的漏极分别与第五PMOS管MP5的栅极、第五PMOS管MP5的漏极、第四PMOS管MP4的栅极、第三PMOS管MP3的栅极、第二PMOS管MP2的栅极、第一PMOS管MP1的栅极连接；所述第一PMOS管MP1的源极、第二PMOS管MP2的源极、第三PMOS管MP3的源极、第四PMOS管MP4的源极、第五PMOS管MP5的源极均与电源电压VIN连接；所述第四PMOS管MP4的漏极、或门OR1的输出端均接入快充控制单元（103）中；所述第三PMOS管MP3的漏极分别与第二电容C3的一端、第一施密特反相器SMIT1的输入端、第三NMOS管MN3的漏极连接，所述第二电容C3的另一端、第三NMOS管MN3的源极均接地，所述第三NMOS管MN3的栅极与第一反相器INV1的输出端连接；所述第一施密特反相器SMIT1的输出端与或门OR1的第一输入端连接；所述第二PMOS管MP2的漏极分别与第一电容C2的一端、第二NMOS管MN2的漏极、或门OR1的第二输入端连接，所述第一电容C2的另一端、第二NMOS管MN2的源极均接地，所述第二NMOS管MN2的栅极与可调缓冲单元（101）中运算放大器A1的输出端连接；所述第一PMOS管MP1的漏极分别与第一NMOS管MN1的漏极、第一NMOS管MN1的栅极连接，所述第一NMOS管MN1的源极接地；所述或门OR1的第三输入端与y路调压信号连接； 所述快充控制单元（103）包括：第五NMOS管MN5、第三电容C4、第二施密特反相器SMIT2和第二反相器INV2，所述第五NMOS管MN5的栅极与或门OR1的输出端连接，所述第五NMOS管MN5的漏极分别与第四PMOS管MP4的漏极、第三电容C4的一端、第二施密特反相器SMIT2的输入端连接，所述第三电容C4的另一端、第五NMOS管MN5的源极均接地，所述第二施密特反相器SMIT2的输出端与第二反相器INV2的输入端连接，所述第二反相器INV2的输出端接入快充通路（104）中； 所述低使能放电模块（107）包括：第六NMOS管MN6和第七NMOS管MN7，所述第六NMOS管MN6的漏极与第七NMOS管MN7的漏极均与可调缓冲单元（101）的输出端连接；所述第六NMOS管MN6的源极接地，所述第七NMOS管MN7的源极分别与快充通路（104）的输出端、慢充通路（105）的输出端、滤波电容C1（106）的一端连接；所述第六NMOS管MN6的栅极、第七NMOS管MN7的栅极均与第一反相器INV1的输出端连接。

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