嘉兴市小辰光伏科技有限公司吴家阳获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉兴市小辰光伏科技有限公司申请的专利一种用于解决TOPCon电池LPCVD双插正面绕扩印的添加剂及清洗工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119286525B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411803095.0，技术领域涉及：C09K13/06；该发明授权一种用于解决TOPCon电池LPCVD双插正面绕扩印的添加剂及清洗工艺是由吴家阳;徐柯艺;常帅锋;韩军;邓泽晟;蒲兴文;武圆圆;汤昌盛;邱军辉;卓浩;徐一军设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于解决TOPCon电池LPCVD双插正面绕扩印的添加剂及清洗工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于解决TOPCon电池LPCVD双插正面绕扩印的添加剂及清洗工艺，涉及太阳能电池生产制造技术领域，包括以下组分：碱腐蚀催化剂、多羧基聚合物、有机酸、螯合剂、表面活性剂、乳糖酸、四羟甲基甘脲、羟丙基β‑环糊精、超支化聚三唑hb‑PTA‑OEG和水。该添加剂及清洗工艺可选择性刻蚀多晶硅且吸附于BPSG表面，保护其在去绕镀的过程中不被碱腐蚀，同时可提高绕镀在碱溶液中的腐蚀速率，使得正面多晶硅去除更为快速彻底，对电池效率的增益效果明显。
本发明授权一种用于解决TOPCon电池LPCVD双插正面绕扩印的添加剂及清洗工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于解决TOPCon电池LPCVD双插正面绕扩印的添加剂，其特征在于，包括按质量百分比计算的以下组分：碱腐蚀催化剂0.8wt%-1.5wt%、多羧基聚合物0.5wt%-1wt%、有机酸0.1wt%-0.6wt%、螯合剂0.3wt%-0.8wt%、表面活性剂0.8wt%-2wt%、乳糖酸0.3wt%-1wt%、四羟甲基甘脲0.05wt%-0.12wt%、羟丙基β-环糊精0.03wt%-0.1wt%、超支化聚三唑hb-PTA-OEG0.03wt%-0.08wt%，余量为水；所述碱腐蚀催化剂为过硫酸铵、间氯过氧苯甲酸、过氧化脲中的一种或两种以上的组合；所述多羧基聚合物为聚天冬氨酸、聚丙烯酸钠、聚羧酸盐分散剂5040的一种或两种以上的组合。
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