北京芯力技术创新中心有限公司王阳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京芯力技术创新中心有限公司申请的专利晶圆上芯粒堆叠方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411812016.2，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权晶圆上芯粒堆叠方法及半导体器件是由王阳;刘括设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆上芯粒堆叠方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆上芯粒堆叠方法及半导体器件，该方法包括：步骤S1，将晶圆以具有电路图形结构的一面朝下设置在贴合装置中；步骤S2，利用晶片吸取装置从上往下地吸附着晶片的上表面，将所述晶片以具有电路图形结构的一面朝上地放置到所述贴合装置中；步骤S3，以由下到上的方向作为晶片到晶圆键合方向而进行键合，完成晶圆上芯粒的堆叠。利用本发明，避免了加工工程中的中间工艺例如芯片的切割、拾取、翻转等工艺引入的颗粒污染，从而大量避免了引发键合的强度降低以及键合电性失效的技术问题。
本发明授权晶圆上芯粒堆叠方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种晶圆上芯粒堆叠方法，其特征在于，包括： 步骤S1，将晶圆以具有电路图形结构的一面朝下设置在贴合装置中； 步骤S2，利用晶片吸取装置从上往下地吸附着晶片的上表面，将所述晶片以具有电路图形结构的一面朝上地放置到所述贴合装置中； 步骤S3，以由下到上的方向作为晶片到晶圆键合方向而进行键合，完成晶圆上芯粒的堆叠，其中， 在所述步骤S3中包括：利用所述贴合装置的加热功能部件在进行键合之前预先对所述晶片所在的芯片和与所述芯片键合的晶圆加热，在将所述晶片与所述晶圆对准贴合的同时，对所述芯片的背面进行加热，利用吸附在所述晶圆背面的吸盘，对所述晶圆进行10s-180s、80℃-150℃条件下的加热，来实现仅对芯片键合位置的加热。
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