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龙图腾网恭喜中芯长电半导体(江阴)有限公司申请的专利半导体封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112185902B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910600046.X，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体封装结构及其制备方法是由蔡汉龙;陈明志;林正忠设计研发完成，并于2019-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，通过包含金属线切口的WB金属线，以减小WB金属线的径向尺寸，从而在进行焊线工艺时，可仅形成一个焊点，而后通过拉伸，使WB金属线自金属线切口处断开，并通过放电形成金属球，制备以焊点作为底部，金属球作为顶部及包含直线形金属焊线的第一金属焊线，并在后续经过封装及去除部分封装层后，显露金属球，并可直接通过金属球作为连接第一金属焊线及第二金属焊线的金属层，从而可减少形成金属层的步骤、时间及费用，提高产品质量。

本发明授权半导体封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供芯片，所述芯片的表面包含焊盘； 形成第一金属焊线，其中包括： 提供WB金属线，所述WB金属线包含金属线切口，所述金属线切口自所述WB金属线的表面向所述WB金属线的径向延伸，以减小所述WB金属线的径向尺寸，所述金属线切口包括贯穿所述WB金属线的通孔； 将所述WB金属线与所述焊盘电连接，形成焊点； 自所述焊点拉伸所述WB金属线，使所述WB金属线自所述金属线切口处断开； 进行放电，形成金属球，制备以所述焊点作为底部，金属球作为顶部的所述第一金属焊线，且所述第一金属焊线包含位于所述焊点与所述金属球之间的直线形金属焊线； 形成封装层，所述封装层覆盖所述芯片及第一金属焊线； 去除所述封装层，使所述封装层的表面显露所述金属球，且所述封装层的表面显露的所述金属球在垂向区域覆盖所述第一金属焊线； 于所述封装层上形成第二金属焊线，所述第二金属焊线与所述金属球电连接。

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