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龙图腾网恭喜世界先进积体电路股份有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987155B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910432625.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权高电子迁移率晶体管装置及其制造方法是由陈志谚设计研发完成，并于2019-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本高电子迁移率晶体管装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高电子迁移率晶体管装置及其制造方法，其中装置包含半导体层、栅极电极、第一介电层、源极场板、第二介电层、源极电极、第三介电层以及漏极结构。栅极电极设置于半导体层上。第一介电层设置于栅极电极上且具有第一凹槽位于栅极电极的第一侧，其中第一凹槽的底表面低于栅极电极的顶表面。源极场板设置于第一介电层上且从栅极电极的第二侧延伸至第一凹槽内。第二介电层设置于源极场板上。源极电极设置于第二介电层上且与源极场板电连接。第三介电层设置于源极电极上。漏极结构设置于栅极电极的第一侧且穿过第三介电层，其中第一凹槽位于漏极结构和栅极电极之间。

本发明授权高电子迁移率晶体管装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，包括： 一栅极电极，设置于一半导体层上； 一第一介电层，设置于该栅极电极上且具有一第一凹槽位于该栅极电极的一第一侧，其中该第一凹槽的一底表面低于该栅极电极的一顶表面； 一源极场板，设置于该第一介电层上且从该栅极电极的一第二侧延伸至该第一凹槽内； 一第二介电层，设置于该源极场板上，且具有一开口位于该栅极电极的该第二侧； 一源极电极，顺应地设置于该第二介电层的该开口中，且与该源极场板电连接； 一第三介电层，设置于该源极电极上； 一源极接触件，从该源极场板的最顶表面下方延伸至该源极电极的最顶表面上方；以及 一漏极结构，设置于该栅极电极的该第一侧且穿过该第三介电层，其中该第一凹槽位于该漏极结构和该栅极电极之间，其中 该第二介电层具有一第二凹槽，并且其中该第二凹槽位于该第一凹槽和该漏极结构之间，且该源极电极延伸至该第二凹槽内。

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