恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张邦圣获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110729246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910015643.6，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张邦圣;尹煜峰;王朝勋;赵高毅;杨复凯;王美匀;张峰瑜;高承远;洪嘉阳;张家胜;孙书辉;谢志宏;潘昇良;郭国凭;吴少均设计研发完成，并于2019-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种方法包含形成金属栅极结构，金属栅极结构包含栅极介电层及栅极电极。对金属栅极结构的顶表面进行表面处理，表面处理将栅极电极的顶部转变为氧化层。在栅极电极上方形成导电层，导电层的形成包含以金属元素取代氧化层中的氧。在金属栅极结构上方形成插塞部件，插塞部件与导电层直接接触。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，包括： 形成一金属栅极结构，其中该金属栅极结构包括一栅极介电层及一栅极电极； 对该金属栅极结构的一顶表面进行一表面处理，其中该表面处理将该栅极电极的一顶部转变为一氧化层； 在该栅极电极上方形成一导电层，其中该导电层的形成包括以一金属元素取代该氧化层中的氧；以及 在该金属栅极结构上方形成一插塞部件，其中该插塞部件与该导电层直接接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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