恭喜株式会社半导体能源研究所大泽信晴获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利发光元件、发光装置、电子设备及照明装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111480245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880080618.X，技术领域涉及：H10K50/17；该发明授权发光元件、发光装置、电子设备及照明装置是由大泽信晴;濑尾哲史;门间裕史设计研发完成，并于2018-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光元件、发光装置、电子设备及照明装置在说明书摘要公布了：提供一种驱动电压低且可靠性高的发光元件。该发光元件是在阴极与发光层之间包括电子注入层的发光元件。该电子注入层为金属与具有在3齿或4齿与金属相互作用的功能的有机化合物的混合膜，金属原子和该有机化合物形成SOMO。
本发明授权发光元件、发光装置、电子设备及照明装置在权利要求书中公布了：1.一种发光元件，包括： 阳极与阴极之间的发光层；以及 所述发光层与所述阴极之间的第一层， 其中，所述第一层包含第一有机化合物及金属， 所述金属属于周期表中的第3族至第13族中的任一个， 所述第一有机化合物包括取代或未取代的碳原子数为1以上且30以下的杂芳环， 所述杂芳环包含氮， 所述第一有机化合物中的所述氮具有在3齿或4齿与所述金属相互作用的功能， 所述第一有机化合物与所述金属是形成SOMO的组合， 并且，所述第一有机化合物以通式G3-1和G3-3表示， 式中，R1至R8分别独立地表示氢、碳原子数为1至4的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至7的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6以上且25以下的芳烃基或者取代或未取代的碳原子数为3以上且30以下的杂芳烃基， Ar表示氢、碳原子数为1至4的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至7的环烷基、碳原子数为6以上且60以下的芳烃基或者碳原子数为2以上且60以下的杂芳烃基。
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