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龙图腾网恭喜上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967904B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510444324.2，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权半导体器件及制备方法是由胡林辉;陈志睿;张强;王珊珊;仇峰设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件及制备方法，该制备方法包括：提供一衬底，于所述衬底的一侧形成埋氧层；在所述埋氧层朝向所述衬底的一侧进行离子注入；于所述埋氧层背离所述衬底的一侧形成外延层和硬掩模层；对所述硬掩模层和所述外延层进行深槽隔离刻蚀形成深槽；刻蚀所述深槽至贯通所述埋氧层，并于所述深槽中填充多晶硅；进行化学机械抛光至所述硬掩模层后，去除所述硬掩模层；于所述外延层背离所述埋氧层的一侧形成有源层。通过采用本申请，有利于提高半导体器件的抗电离辐射能力，提高半导体器件在恶劣环境中使用的可靠性。

本发明授权半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件为SOIBCD器件，所述方法包括如下步骤： 提供一P型衬底，于所述P型衬底的一侧设有埋氧层，所述埋氧层为绝缘层； 在所述埋氧层朝向所述P型衬底的一侧进行N型离子注入，形成轻掺杂N型区和位于所述轻掺杂N型区中的重掺杂N型区，其中，每个所述轻掺杂N型区的两侧形成两个所述重掺杂N型区； 于所述埋氧层背离所述P型衬底的一侧形成外延层和硬掩模层； 对所述硬掩模层和所述外延层进行深槽隔离刻蚀形成深槽； 刻蚀所述深槽至贯通所述埋氧层，并于所述深槽中填充多晶硅，所述深槽与所述重掺杂N型区相对； 进行化学机械抛光至所述硬掩模层后，去除所述硬掩模层； 于所述外延层背离所述埋氧层的一侧形成有源层； 于所述有源层中背离所述外延层的一侧形成层间介质层； 于所述层间介质层中形成多个接触孔，部分所述接触孔与所述深槽中填充的多晶硅相对； 在所述接触孔中填充导电金属，所述半导体器件配置为接收外部负偏置电压并通过所述导电金属和所述深槽中的多晶硅施加于所述重掺杂N型区，所述负偏置电压配置为抵消滞留在所述埋氧层中带有正电的空穴引起的内建电场。

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