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龙图腾网恭喜苏州市职业大学;清华大学无锡应用技术研究院申请的专利一种负压检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115389893B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210966795.6，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种负压检测电路是由李亮;周德金;侯晓钧;濮旦晨设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种负压检测电路在说明书摘要公布了：本发明是一种负压检测电路，采用带隙基准电压比较器结构，应用于GaN半桥驱动电路中，为了解决驱动电路负压的影响，抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路，使充电时间避开负压时间，高侧负压检测电路采用带隙基准比较器，将带隙基准和电压比较器结合在一起，受温度的影响小，由于使用电流比较，速度快，可以有效避免高侧浮动电源轨的影响。

本发明授权一种负压检测电路在权利要求书中公布了：1.一种负压检测电路，其特征在于，该电路包括第一BJT晶体管Q1、第二BJT晶体管Q2，NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、电阻R1和电阻R2，所述第二BJT晶体管Q2的发射极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端同时与第一BJT晶体管Q1的发射极和电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与高侧电压HB相连，第一BJT晶体管Q1的集电极与NMOS晶体管M1的漏极相连，NMOS晶体管M1的漏极与栅极相连，构成有源电阻，NMOS晶体管M1的源极与高侧电压HS相连，第二BJT晶体管Q2的集电极与NMOS晶体管M2的漏极相连，第二晶体管M2的漏极与栅极相连，构成有源电阻，第二晶体管M2的源极与高侧电压HS相连，第一BJT晶体管Q1的基极与第二BJT晶体管Q2的基极相连，使得第一BJT晶体管Q1和第二BJT晶体管Q2的两条集电极支路电流保持一致，该基极电压为基准电压VREF； 所述NMOS晶体管M1的栅极与NMOS晶体管M4的栅极相连，NMOS晶体管M4的源极与高侧电压HS相连，构成电流镜电路，所述NMOS晶体管M2的栅极与NMOS晶体管M3的栅极相连，NMOS晶体管M3的源极与高侧电压HS相连，构成电流镜电路； 所述NMOS晶体管M3的漏极与PMOS晶体管M5的漏极相连，PMOS晶体管M5的漏极与栅极相连，构成有源电阻，PMOS晶体管M5的源极与高侧电压HB相连，PMOS晶体管M5的栅极与PMOS晶体管M6的栅极相连，PMOS晶体管M6的源极与高侧电压HB相连，构成电流镜电路，PMOS晶体管M6的漏极与NMOS晶体管M4的漏极相连，作为输出端VOUT。

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