买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜复旦大学申请的专利具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111477721.8，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管及其制备方法是由徐航;徐大朋;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管及其制备方法。该具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管包括：N‑掺杂的硅衬底，其形成有P型阱区和载流子存储层，其中载流子存储层位于P型阱区下方；沟槽，贯穿所述P型阱区和载流子存储层；第一栅氧层形成在所述沟槽底部和侧壁上，第一多晶硅层覆盖第一栅氧层并填充沟槽下部；第二栅氧层形成在所述第一多晶硅层和沟槽上部侧壁上，第二多晶硅层覆盖第二栅氧层并填充沟槽上部；P+区形成在P阱区的上部边缘，N+区形成在P阱区的上部中间区域；第三多晶硅层，形成在所述P+区上方；第四氧化层，覆盖器件上表面；背部P阱区，形成在硅衬底底部；背部N阱区位于背部P阱区上方。

本发明授权具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在N-掺杂的硅衬底上通过P型离子注入形成P型阱区； 刻蚀形成沟槽，生长第一氧化层作为第一栅氧层，使其覆盖所述沟槽表面并延伸覆盖所述P型阱区表面； 淀积第一多晶硅层，使其覆盖所述沟槽表面的第一氧化层，并完全填充沟槽，对第一多晶硅层进行刻蚀，在沟槽内保留一定厚度的第一多晶硅层； 在第一多晶硅层表面生长第二氧化层作为第二栅氧层，使其覆盖第一氧化层表面； 在第二氧化层表面淀积第二多晶硅层，使其覆盖第二氧化层，并完全填充沟槽，对第二多晶硅层进行化学机械抛光，使其上表面与第二氧化层的上表面相持平； 刻蚀所述第二氧化层，仅保留边缘处的第二氧化层，使所述第二多晶硅层和部分所述P型阱区表面露出，通过N型离子注入形成N+区，去除表面的第二氧化物层以露出衬底； 通过高能N型离子注入在P型阱区下方形成载流子存储层； 淀积第三氧化层覆盖衬底表面，刻蚀去除边缘处的第三氧化层以露出部分硅衬底，进行P型离子注入形成P+区； 在所述P+区上方形成第三多晶硅层； 生长第四氧化层，覆盖所述第三多晶硅层表面； 通过P型离子注入形成背部P阱区，通过N型离子注入形成背部N阱区，其中背部P阱区位于底部，背部N阱区位于背部P阱区上方， 所述第一多晶硅层的上表面与所述P阱区的下表面接近，以使得上部栅极控制P型阱区使其反型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人复旦大学，其通讯地址为：200433 上海市杨浦区邯郸路220号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。