北京工业大学马啸尘获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116024658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211691933.0，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法是由马啸尘设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法，用五氧化二钽粉末和氧化钨粉末混合烧制的靶材作为原料，采用脉冲激光沉积方法在钇稳定的氧化锆YSZ单晶衬底上制备得到钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄。本发明的钨掺杂六方相五氧化二钽薄膜是具有单晶结构的外延材料，该薄膜材料具有良好的半导体电学性质，并且单晶质量高、稳定性好。可用于透明半导体器件和紫外光电探测器等领域。
本发明授权一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜，其特征在于，该薄膜的化学组成是钨掺杂的五氧化二钽，为六方结构的单晶材料；用五氧化二钽粉末和氧化钨粉末混合烧制的靶材作为原料，采用脉冲激光沉积方法在钇稳定的氧化锆单晶衬底上制备，得到钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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