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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种多量子阱基发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843378B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210499766.3，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种多量子阱基发光二极管及其制备方法是由程龙;郑文杰;高虹;曾家明;胡加辉设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多量子阱基发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多量子阱基发光二极管及其制备方法，包括衬底，还包括：依次层叠于衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层及P型GaN层；其中，多量子阱层包括若干周期交替堆叠的量子阱层和量子垒层，量子阱层依次包括第一量子阱子层、第二量子阱子层及第三量子阱子层，第一量子阱子层设于N型GaN层之上；第一量子阱子层包括第一GaN层以及设于第一GaN层之上的第二GaN层，第一GaN层设于N型GaN层之上；第三量子阱子层包括第一InGaN层以及设于第一InGaN层之上的第二InGaN层，第一InGaN层设于第二量子阱子层之上，本发明能够解决现有技术中低温生长的InGaN量子阱层降低了多量子阱层的晶体质量，影响多量子阱基发光二极管的发光效率的技术问题。

本发明授权一种多量子阱基发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多量子阱基发光二极管，包括衬底，其特征在于，所述多量子阱基发光二极管还包括： 依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层及P型GaN层； 其中，所述多量子阱层包括若干周期交替堆叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层依次包括第一量子阱子层、第二量子阱子层及第三量子阱子层，所述第一量子阱子层设于所述N型GaN层之上； 所述第一量子阱子层包括第一GaN层以及设于所述第一GaN层之上的第二GaN层，所述第一GaN层设于所述N型GaN层之上； 所述第三量子阱子层包括第一InGaN层以及设于所述第一InGaN层之上的第二InGaN层，所述第一InGaN层设于所述第二量子阱子层之上，所述第二量子阱子层为In摩尔占比渐变的InGaN薄膜层，所述In摩尔占比为0.01-0.5，且所述In摩尔占比由靠近所述第一量子阱子层一侧向远离所述第一量子阱子层一侧逐渐升高。

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