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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种制备超小尺寸的垂直肖特基二极管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664663B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210477249.6，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种制备超小尺寸的垂直肖特基二极管的方法是由刘渊;李婉莹设计研发完成，并于2022-05-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备超小尺寸的垂直肖特基二极管的方法在说明书摘要公布了：一种制备超小尺寸的垂直肖特基二极管的方法，包括：从牺牲衬底上机械剥离包括底电极的有机粘结层并倒置形成底电极；转移无悬挂键且原子级平整的薄层二维半导体材料到底电极上；从牺牲衬底上机械剥离包括顶电极的有机粘结层并转移层压至无悬挂键且原子级平整的薄层二维半导体材料上，释放有机柔性粘结层和顶电极，顶电极和底电极的功函数不同，分别与薄层二维半导体材料形成欧姆接触和肖特基接触。本发明将垂直肖特基二极管器件尺寸极限微缩到原子级厚度，为实现大的电流密度，低功耗和高频开关速度的集成器件和电路提供重要的途径。

本发明授权一种制备超小尺寸的垂直肖特基二极管的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备超小尺寸的垂直肖特基二极管的方法，包括： 1预制倒置的底电极： 在原子级平坦的牺牲衬底上蒸镀图案化金属电极1后进行功能化处理；在功能化处理后的牺牲衬底上旋涂有机柔性粘结层并烘干，机械剥离包裹着金属电极1的有机柔性粘结层并倒置放置在新的衬底上，使得金属电极1平整表面朝上，随后进行褪火处理，形成底电极； 2转移无悬挂键且原子级平整的薄层二维半导体材料到底电极上： 利用有机柔性黏附层从二维半导体体状材料上机械剥离无悬挂键且原子级平整的薄层二维半导体材料，并通过转移平台对准组件将无悬挂键且原子级平整的薄层二维半导体材料与底电极对准贴合； 3制备顶电极： 在原子级平坦的牺牲衬底上蒸镀图案化金属电极2后进行功能化处理；在功能化处理后的牺牲衬底上旋涂有机柔性粘结层并烘干，机械剥离包裹着金属电极2的有机柔性粘结层，通过转移平台对准组件将其转移并层压至无悬挂键且原子级平整的薄层二维半导体材料上，释放有机柔性粘结层和金属电极2，完成顶电极制备； 所述金属电极1和金属电极2的功函数不同，分别与薄层二维半导体材料形成欧姆接触和肖特基接触； 所述有机柔性粘结层为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA层。

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