华中科技大学李祎获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种阈值转变器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744111B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210453080.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种阈值转变器件及其制备方法是由李祎;左文彬;缪向水;任升广设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阈值转变器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件领域，公开了一种阈值转变器件及其制备方法，阈值转变器件包括底电极，顶电极以及位于底电极和顶电极之间的功能层；功能层为离子注入改性的二元或多元金属氧化物，且经过离子注入改性后在所述功能层的内部或者表面形成有活性金属纳米颗粒；经过离子注入改性后的功能层中注入的离子浓度随功能层深度呈现近高斯分布；活性金属纳米颗粒限制了氧化还原反应发生的区域，减小了导电细丝生长的随机性，提升了阈值转变器件的一致性；且纳米级的活性电极区域使得导电通道在较大限流下依然可以保持自发断裂的特性，提升了阈值转变器件的开态电流密度。
本发明授权一种阈值转变器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阈值转变器件，其特征在于，包括底电极，顶电极以及位于底电极和顶电极之间的功能层； 所述功能层为离子注入改性的二元或多元金属氧化物，且经过离子注入改性后在所述功能层的内部或者表面形成有活性金属纳米颗粒；活性金属为Ag、Cu、Ni、Ag2Te、Ag2S、Ag2Se、Cu2S、Cu2Se或Cu2Te； 经过离子注入改性后的功能层中注入的离子浓度随功能层深度呈现近高斯分布；经过离子注入改性后的功能层在其内部形成的纳米团簇尺寸呈现梯度分布； 所述活性金属纳米颗粒限制了氧化还原反应发生的区域，减小了导电细丝生长的随机性，提升了阈值转变器件的一致性；且纳米级的活性电极区域使得导电通道在较大限流下依然可以保持自发断裂的特性，提升了阈值转变器件的开态电流密度。
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