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龙图腾网获悉苏州锴威特半导体股份有限公司申请的专利一种栅极驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112769317B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110083120.2，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种栅极驱动电路是由谭在超;涂才根;张胜;罗寅;丁国华设计研发完成，并于2021-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅极驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅极驱动电路，包括左侧电路和驱动电路，左侧电路包括高压电源VCC、Q1三极管、Q2三极管、d1二极管、dz1齐纳二极管、dz2齐纳二极管、dz3齐纳二极管、C1电容、I1偏置电流源、I2偏置电流源、N1MOS管、N2MOS管、N3MOS管以及N4MOS管，驱动电路包括INV1驱动器，INV1驱动器连接INV2驱动器，INV2驱动器连接HN1驱动管，HN1驱动管的漏极连接HP3驱动管的源极，HP3驱动管的漏极连接HP1驱动管的源极和HP2驱动管的栅极，HP2驱动管的源极连接HP4驱动管的漏极，HP4驱动管的源极连接HN2驱动管的漏极，HP4驱动管的漏极连接HP1驱动管的栅极，HN1驱动管、HN2驱动管、HP1驱动管、HP2驱动管、HP3驱动管以及HP4驱动管构成电平位移电路，本驱动电路可以保证即使在薄栅氧工艺中，也能够安全地工作。

本发明授权一种栅极驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种栅极驱动电路，其特征在于，所述电路包括左侧电路和驱动电路，所述左侧电路包括高压电源VCC、Q1三极管、Q2三极管、d1二极管、dz1齐纳二极管、dz2齐纳二极管、dz3齐纳二极管、C1电容、I1偏置电流源、I2偏置电流源、N1MOS管、N2MOS管、N3MOS管以及N4MOS管，I1偏置电流源连接N1MOS管的漏极，I2偏置电流源连接Q1三极管的基极，N1MOS管的栅极接N2MOS管的栅极，N1MOS管的漏极、栅极与N2MOS管的栅极相连接，d1二极管和dz1齐纳二极管接Q1三极管的基极，Q1三极管的发射极连接Q2三极管的基极和N2MOS管的漏极，Q2三极管的发射极连接N3MOS管的漏极并输出VDDL，VDDL对地有一个齐纳管dz2齐纳二极管，N4MOS管通过dz3齐纳二极管和C1电容接高压电源VCC，所述驱动电路包括INV1驱动器，所述INV1驱动器连接INV2驱动器，INV2驱动器连接HN1驱动管，所述HN1驱动管的漏极连接HP3驱动管的源极，HP3驱动管的漏极连接HP1驱动管的源极和HP2驱动管的栅极，HP2驱动管的源极连接HP4驱动管的漏极，HP4驱动管的源极连接HN2驱动管的漏极，HP4驱动管的漏极连接HP1驱动管的栅极，HN1驱动管、HN2驱动管、HP1驱动管、HP2驱动管、HP3驱动管以及HP4驱动管构成电平位移电路，输出连接HP5驱动管的栅极，HP5驱动管的源极连接HP6驱动管的漏极，HP6驱动管的源极连接HN3驱动管的漏极，HN3驱动管、HP6驱动管以及HP5驱动管构成一驱动器，输出电压连接HP7驱动管的栅极，HP7驱动管的源极连接HN4驱动管的漏极，所述INV1驱动器连接INV3驱动器，INV3驱动器与HN3驱动管的栅极连接。

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