台湾积体电路制造股份有限公司陈俊翰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利鳍式场效晶体管装置结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109841617B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810354465.5，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权鳍式场效晶体管装置结构是由陈俊翰;李振铭;杨复凯;王美匀;李志鸿;卢柏全设计研发完成，并于2018-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍式场效晶体管装置结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供鳍式场效晶体管装置结构，其包含鳍结构形成于基底上，以及第一栅极结构形成于鳍结构上。鳍式场效晶体管装置结构还包含第一盖层形成于第一栅极结构上，以及第一蚀刻停止层位于第一盖层和第一栅极结构上。鳍式场效晶体管装置结构还包含第一源极漏极接点结构形成于鳍结构上且相邻于第一栅极结构。在第一盖层正上方的第一蚀刻停止层的一部分高于在第一栅极间隔层正上方的第一蚀刻停止层的另一部分。
本发明授权鳍式场效晶体管装置结构在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效晶体管装置结构，包括： 一鳍结构，形成于一基底上； 一第一栅极结构，形成于该鳍结构上； 一第一栅极间隔层，形成在相邻于该第一栅极结构； 一第一盖层，形成于该第一栅极结构上； 一第一蚀刻停止层，形成于该第一盖层和该第一栅极结构上，其中该第一盖层的一顶表面与一侧壁表面直接接触该蚀刻停止层；以及 一第一源极漏极接点结构，形成于该鳍结构上且相邻于该第一栅极结构，其中该第一盖层的整体高于该第一栅极间隔层的一最顶表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号