郑州大学杨珣获国家专利权
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龙图腾网获悉郑州大学申请的专利一种高低势垒金刚石肖特基二极管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310298844.8，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种高低势垒金刚石肖特基二极管及其制备方法和应用是由杨珣;豆文杰;单崇新;周维民;范伟;王少义;臧华平;陈彦成;张镇峰;林超男设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高低势垒金刚石肖特基二极管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高低势垒金刚石肖特基二极管及其制备方法和应用，采用大小不对称的不同类型的金属，使金刚石两个电极处形成高低势垒，制备金刚石高低势垒肖特基二极管实现自供电的X射线探测器件。其制备方法包括：制备单晶金刚石，并在单晶金刚石上表面进行刻蚀；采用磁控溅射法在单晶金刚石上表面沉积银薄膜、下表面沉积金薄膜；在单晶金刚石沉积有银的上表面，采用光刻工艺制备n×n相邻的二极管。本发明制备得到的金刚石高低势垒肖特基二极管，在一定剂量的X射线照射下产生电子空穴对，在内建电场的作用下电子空穴快速分离形成电流，实现了自驱动并且具有高光暗电流比较高的重复性和稳定性。
本发明授权一种高低势垒金刚石肖特基二极管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高低势垒金刚石肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）制备单晶金刚石，并在单晶金刚石上表面进行刻蚀，在金刚石上形成一定深度的沟道，有利于减小像素点之间的串扰； （2）采用磁控溅射法在单晶金刚石上表面沉积银薄膜、下表面沉积金薄膜，调节温度为30℃，抽取真空度为5×10-4Pa，溅射气体为氩气，氩气流量为100sccm，调节生长压强打开直流电源；在单晶金刚石的下表面开始沉积金，沉积时间为2-3min，沉积厚度80-120nm；结束后，在单晶金刚石的上表面开始沉积银，采用n×n的金属银薄膜阵列，每个银薄膜像素点的尺寸为0.2×0.2mm2，沉积时间为2-3min，沉积厚度80-120nm；其中，n为正整数； （3）在单晶金刚石沉积有银的上表面，采用光刻工艺制备n×n相邻的二极管；其中，n为正整数。
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