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龙图腾网获悉烟台大学申请的专利一种具有梯度孔结构的碳化硼核控制棒及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120108793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510562409.0，技术领域涉及：G21C7/24；该发明授权一种具有梯度孔结构的碳化硼核控制棒及其制备方法是由李向明;郁万军;孟庆宏;刘伟;马祖驹;刘峻廷设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有梯度孔结构的碳化硼核控制棒及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硼陶瓷技术领域，涉及一种具有梯度孔结构的碳化硼核控制棒及其制备方法。所述碳化硼核控制棒，从内到外依次为内芯、中间层以及外层，并且碳化硼核控制棒的孔隙率以及平均孔径从内芯到外层依次增大；碳化硼核控制棒的内芯孔隙率和平均孔径分别在6.1%~11.6%和1.5~5.6μm范围内调控，中间层孔隙率和平均孔径分别在13.2%~18.6%和4.7~12.4μm范围内调控，外层孔隙率和平均孔径分别在20%~31.2%和15.3~22.4μm范围内调控。本发明通过设计多粒径碳化硼粉末的梯度结构制备碳化硼核控制棒，有效解决了碳化硼核控制棒使用过程中因氦气滞留引发的肿胀应力问题，且制备工艺简单。

本发明授权一种具有梯度孔结构的碳化硼核控制棒及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有梯度孔结构的碳化硼核控制棒的制备方法，其特征在于，碳化硼核控制棒从内到外依次为内芯、中间层以及外层，并且碳化硼核控制棒的孔隙率以及平均孔径从内芯到外层依次增大； 所述制备方法包括以下步骤： S1获取三种不同粒径的碳化硼粉末：第一碳化硼粉末平均粒径为0.5~3μm，第二碳化硼粉末的平均粒径为3~7μm，第三碳化硼粉末的平均粒径为7~15μm，并且第一碳化硼粉末的平均粒径第二碳化硼粉末的平均粒径第三碳化硼粉末的平均粒径； S2将酚醛树脂、硼酸溶解于溶剂中获得混合溶液； S3将步骤S1中的第一、第二、第三碳化硼粉末分别与步骤S2中的混合溶液混合，经球磨分别得到浆料Ⅰ、浆料Ⅱ和浆料Ⅲ； S4将步骤S3中的浆料Ⅰ、浆料Ⅱ和浆料Ⅲ分别进行干燥，获得干混料I、干混料II和干混料III； S5将步骤S4中的干混料I、干混料II和干混料III进行研磨破碎、过筛，得到烧结粉体I、烧结粉体II和烧结粉体III； S6以烧结粉体I为内芯材料，以烧结粉体II为中间层材料，以烧结粉体III为外层材料制备棒状陶瓷生坯； S7将步骤S6获得的棒状陶瓷生坯进行感应加热烧结，得到所述碳化硼核控制棒； 碳化硼核控制棒的内芯孔隙率和平均孔径分别在6.1%~11.6%和1.5~5.6μm范围内调控，中间层孔隙率和平均孔径分别在13.2%~18.6%和4.7~12.4μm范围内调控，外层孔隙率和平均孔径分别在20%~31.2%和15.3~22.4μm范围内调控。

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