上海音特电子有限公司肖南海获国家专利权
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龙图腾网获悉上海音特电子有限公司申请的专利一种非晶材料用于CAN FD的高性能共模抑制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120108903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510558972.0，技术领域涉及：H01F27/36；该发明授权一种非晶材料用于CAN FD的高性能共模抑制器是由肖南海;郭新华;杨斌;张伟伟;蒋盼盼;洪海霞;肖海兵设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非晶材料用于CAN FD的高性能共模抑制器在说明书摘要公布了：本发明提供一种非晶材料用于CANFD的高性能共模抑制器，涉及电磁兼容技术领域，共模抑制器包括磁芯、线圈、绝缘层和屏蔽壳，磁芯为由多层非均匀厚度的非晶态薄片堆叠构成的磁场折叠共振核心，每层非晶态薄片内嵌有微型谐振腔，线圈为自旋波导线圈，绝缘层为液态拓扑绝缘层，屏蔽壳为光磁耦合屏蔽壳，磁场折叠共振核心利用非均匀厚度薄片和尺寸递减谐振腔，通过磁场折叠形成高密度涡流，耗散1kHz至10MHz宽频带噪声能量，结合自旋波导线圈的自旋极化效应，针对高频噪声提供额外20‑30dB衰减，同时时间域噪声预测单元通过忆阻器和CNTFET预测噪声波形，动态调整阻抗提升抑制效率，实现超高抑制，通过宽频带耗散和高频阻抗协同作用，确保信号完整性，显著降低误码率。
本发明授权一种非晶材料用于CAN FD的高性能共模抑制器在权利要求书中公布了：1.一种非晶材料用于CANFD的高性能共模抑制器，其特征在于：所述共模抑制器包括磁芯、线圈、绝缘层和屏蔽壳，其中： 所述磁芯为由多层非均匀厚度的非晶态薄片堆叠构成的磁场折叠共振核心，每层非晶态薄片的厚度从100nm至50nm随层深递减，每层非晶态薄片内嵌有微型谐振腔，且谐振腔的尺寸从10μm至1μm随层深递减； 所述线圈为自旋波导线圈，由多股微米级螺旋纤维组成，每股纤维表面镀有自旋极化材料，且自旋极化材料的厚度为50nm； 所述绝缘层为液态拓扑绝缘层，由工作温度范围为20℃至100℃的液态金属与二维拓扑材料混合而成，且绝缘层的厚度为100μm； 所述屏蔽壳为光磁耦合屏蔽壳，由掺杂稀土元素的透明聚合物基质制成，内部涂覆光敏磁性薄膜，且光敏磁性薄膜厚度为50nm，并集成有微型LED阵列。
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