同方威视技术股份有限公司;清华大学宗春光获国家专利权
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龙图腾网获悉同方威视技术股份有限公司;清华大学申请的专利中子产生装置及物质成分分析系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510541880.1，技术领域涉及：H05H3/06；该发明授权中子产生装置及物质成分分析系统是由宗春光;刘立兴;明申金;杨祎罡;李元景;陈志强;张丽;刘必成;党永乐;王东宇;梅竹松;王宏宇;姜伯为;唐盛设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本中子产生装置及物质成分分析系统在说明书摘要公布了：一种中子产生装置及物质成分分析系统，中子产生装置包括：电子加速器（10），被配置为发射电子束流（eb）；光子产生靶（20），被配置为与电子束流（eb）相互作用而产生轫致辐射光子（bp）；中子产生靶（30），被配置为与轫致辐射光子（bp）相互作用而产生中子（n）；和中子束流出口（60），与中子产生靶（30）邻接设置，被配置为沿第二方向（dr2）输出中子束流；其中，中子产生靶（30）沿第一方向（dr1）与光子产生靶（20）间隔设置，第一方向（dr1）为电子束流（eb）的发射方向，第二方向（dr2）与中子束流出口（60）的延伸方向平行，并与第一方向（dr1）之间的第一夹角（α1）呈直角或钝角。本公开能够减少中子输出过程中伴随光子的干扰。
本发明授权中子产生装置及物质成分分析系统在权利要求书中公布了：1.一种中子产生装置，包括： 电子加速器（10），被配置为发射电子束流（eb）； 光子产生靶（20），被配置为与所述电子束流（eb）相互作用而产生轫致辐射光子（bp）； 中子产生靶（30），被配置为与所述轫致辐射光子（bp）相互作用而产生中子（n）；和 中子束流出口（60），与所述中子产生靶（30）邻接设置，被配置为沿第二方向（dr2）输出所述中子产生靶（30）产生的中子束流； 其中，所述中子产生靶（30）沿第一方向（dr1）与所述光子产生靶（20）间隔设置，所述第一方向（dr1）为所述电子束流（eb）的发射方向，所述第二方向（dr2）与所述中子束流出口（60）的延伸方向平行，并与所述第一方向（dr1）之间的第一夹角（α1）呈直角或钝角。
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