美光科技公司L·弗拉汀获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116391455B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103079.4，技术领域涉及：H10B43/50；该发明授权存储器装置及其制造方法是由L·弗拉汀;P·凡蒂尼;F·佩里兹设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器装置及其制造方法。垂直3D存储器装置可包括：多个接触件，其与多条数字线相关联且延伸穿过衬底；多个字线板，其通过相应介电层彼此分离且包含第一及第二多个字线板；介电材料，其定位于所述第一多个与所述第二多个字线板之间，所述介电材料以蛇形形状延伸于所述衬底上方；多个柱，其形成于所述多个接触件上方且与所述多个接触件耦合；及多个存储元件，其各自包括定位于相应字线板与相应柱之间的凹部中的硫属化物材料，其中所述凹部具有拱形，且所述凹部中的所述硫属化物材料接触所述相应字线板。
本发明授权存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直3D存储器装置，其包括： 多个接触件，其与多条数字线相关联且延伸穿过衬底； 多个字线板，其通过相应介电层彼此分离且包含第一多个字线板及第二多个字线板； 介电材料，其定位于所述第一多个字线板与所述第二多个字线板之间，所述介电材料以蛇形形状延伸于所述衬底上方； 多个柱，其形成于所述多个接触件上方且与所述多个接触件耦合；及 多个存储元件，其各自包括定位于相应字线板与相应柱之间的凹部中的硫属化物材料， 其中所述凹部具有拱形，且所述凹部中的所述硫属化物材料在所述凹部的中部处接触所述相应字线板且在所述凹部的底部处接触所述相应柱，且其中所述多个存储元件中的第一存储元件用所述相应介电层中的一相应介电层与所述多个存储元件中的第二存储元件分离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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