苏州晶湛半导体有限公司朱丹丹获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115606010B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080097557.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权半导体结构及其制作方法是由朱丹丹;张丽旸;程凯设计研发完成，并于2020-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其制作方法，包括提供自下而上分布的N型半导体层11、发光层12、P型离子掺杂层13以及阻挡材料层14'；图形化所述阻挡材料层14'形成阻挡层14，所述阻挡层14至少具有一个开口14a，以暴露所述P型离子掺杂层13的部分区域；以所述阻挡层14为掩膜，激活所述暴露的P型离子掺杂层13中的P型掺杂离子，以形成激活区131，所述阻挡层14遮盖的所述P型离子掺杂层13形成非激活区132。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 自下而上分布的N型半导体层11、发光层12以及P型离子掺杂层13，所述P型离子掺杂层13包括激活区131以及位于所述激活区131两侧的非激活区132，所述激活区131中的P型掺杂离子被激活，所述非激活区132中的P型掺杂离子被钝化； 其中，所述发光层12与所述P型离子掺杂层13之间具有电子阻挡层17； 所述电子阻挡层17包括第一区171与第二区172，所述第一区171中的P型掺杂离子被激活，所述电子阻挡层17的所述第一区171在所述N型半导体层11所在平面的正投影与所述P型离子掺杂层13的所述激活区131在所述N型半导体层11所在平面的正投影重合；所述第二区172中的P型掺杂离子未被激活，所述电子阻挡层17的所述第二区172在所述N型半导体层11所在平面的正投影与所述P型离子掺杂层13的所述非激活区132在所述N型半导体层11所在平面的正投影重合。
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