中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司黄河获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司申请的专利一种薄膜体声波谐振器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114257196B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010995803.0，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种薄膜体声波谐振器的制造方法是由黄河设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜体声波谐振器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的制造方法，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的上表面形成空腔；在所述空腔中形成牺牲层；在所述第一衬底上、所述牺牲层上依次形成叠置的第一电极、压电层和第二电极；所述第一电极、所述第二电极至少其中之一具有环形拱形桥，所述环形拱形桥背离所述压电层凸起，所述环形拱形桥的内表面围成环形空隙；去除所述牺牲层。本发明第一电极和或第二电极形成环形拱形桥结构，环形拱形桥围成封闭的环形，环形拱形桥与压电层所在平面的表面形成环形空隙，使有效谐振区边界处的第一电极和或第二电极的端部与空隙的气体接触，从而达到消除有效谐振区的电极的边界杂波的效果，进而提升谐振器的Q值。
本发明授权一种薄膜体声波谐振器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底； 在所述第一衬底的上表面形成空腔； 在所述空腔中形成牺牲层； 在所述第一衬底上、所述牺牲层上依次形成叠置的第一电极、压电层和第二电极； 所述第一电极、所述第二电极至少其中之一具有环形拱形桥，所述环形拱形桥背离所述压电层凸起，所述环形拱形桥的内表面围成环形空隙； 去除所述牺牲层； 所述环形空隙围成的区域为谐振器的有效谐振区，所述有效谐振区的所述第一电极、所述第二电极和所述压电层在垂直于所述压电层方向上相互叠置； 形成所述压电层包括： 形成所述压电层后，在所述压电层中形成沟槽，所述沟槽与所述环形拱形桥相对； 所述沟槽为封闭的环形；或， 所述沟槽间断设置，所述有效谐振区内的压电层通过间断处与所述有效谐振区外的所述压电层相连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号