应用材料公司元泰景获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利改良的薄膜包封获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210804828.7，技术领域涉及：H10K50/844；该发明授权改良的薄膜包封是由元泰景;崔寿永;桑杰伊·D·雅达夫设计研发完成，并于2018-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本改良的薄膜包封在说明书摘要公布了：提供一种包封有机发光二极管OLED的方法。所述方法包括在工艺腔室中产生第一等离子体，当OLED器件定位在所述工艺腔室内时，所述第一等离子体具有至少1011cm‑3的电子密度。所述OLED器件包括基板和形成在所述基板上的OLED。所述方法进一步包括：用第一等离子体预处理所述OLED与所述基板的一个或多个表面；通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第二等离子体来在所述OLED之上沉积包括硅和氮的第一阻挡层，所述第二等离子体具有至少1011cm‑3的电子密度；以及在所述第一阻挡层之上沉积缓冲层；以及通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第三等离子体来在所述缓冲层之上沉积包括硅和氮的第二阻挡层。
本发明授权改良的薄膜包封在权利要求书中公布了：1.一种有机发光二极管OLED器件，其中包封结构通过以下工艺设置在OLED之上，包括： 在所述OLED之上沉积包括氮化硅SiN、氧氮化硅SiON或二氧化硅SiO2中的至少一种的第一阻挡层； 在所述第一阻挡层之上沉积缓冲层；和 在所述缓冲层之上沉积包括SiN、SiON或SiO2中的至少一种的第二阻挡层，其中所述第一阻挡层或所述第二阻挡层中的至少一个经由高密度等离子体HDP辅助化学气相沉积CVD工艺沉积，并且所述第一阻挡层或所述第二阻挡层中的至少一个经由电容耦合等离子体CCP辅助化学气相沉积CVD工艺沉积。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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