江西科技学院梁艳获国家专利权
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龙图腾网获悉江西科技学院申请的专利一种基于限域型CeO2纳米颗粒薄膜的气体传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119510516B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411670275.6，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种基于限域型CeO2纳米颗粒薄膜的气体传感器及其制备方法和应用是由梁艳;赵小健;唐鹿;程芳;田瑞珍;杨勇设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于限域型CeO2纳米颗粒薄膜的气体传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于限域型CeO2纳米颗粒薄膜的气体传感器及其制备方法和应用。限域型CeO2纳米颗粒薄膜的气体传感器包括衬底，衬底表面有限域型CeO2碳薄膜层，限域型CeO2的颗粒尺寸为5～20nm，并限域生长在非晶碳基体中，具有高度的分散性。纳米颗粒薄膜的制备方法简单快速，整个制备过程只需要数十分钟，即首先采用脉冲激光沉积技术获得CeO2碳薄膜，再结合快速退火处理获得限域型的CeO2纳米颗粒薄膜。该限域型CeO2纳米颗粒薄膜原位生长在商用平板型Al2O3气敏基片表面，直接可以作为电阻式半导体气体传感器的敏感层。该传感器能够有效地检测挥发性有机化合物VOC三乙胺，并表现出显著的响应、优异的稳定性和选择性。
本发明授权一种基于限域型CeO2纳米颗粒薄膜的气体传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于限域型CeO2纳米颗粒薄膜的气体传感器，其特征在于，包括衬底，所述衬底表面有限域型CeO2碳薄膜层，所述限域型CeO2碳薄膜层中限域型CeO2的颗粒尺寸为5~20nm，并限域生长在非晶碳基体中，所述衬底为具有贵金属Pt叉指电极的Al2O3衬底，所述基于限域型CeO2纳米颗粒薄膜的气体传感器的制备方法包括以下步骤： 首先采用脉冲激光沉积技术使CeO2和碳沉积在衬底上，得到CeO2 碳薄膜；然后将制得的CeO2 碳薄膜采用快速退火处理，得到基于限域型CeO2纳米颗粒薄膜的气体传感器。
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