上海泽丰半导体测试有限公司陶克文获国家专利权
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龙图腾网获悉上海泽丰半导体测试有限公司申请的专利一种半导体测试的多元合金探针及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114428183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111666746.2，技术领域涉及：G01R1/067；该发明授权一种半导体测试的多元合金探针及制作方法是由陶克文;罗雄科;张振明设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体测试的多元合金探针及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体测试的多元合金探针及制作方法，包括步骤：将合金材料进行压片，获得预设厚度的合金片材；在每个所述合金片材上制作对位孔，所述对位孔作为切割探针的针尖时的对位靶标；对每个制作对位孔后的合金片材对应所述针尖的区域进行半蚀刻处理；根据所述探针的目标尺寸，通过超快激光切割所述合金片材，以获得连接的多个所述探针；基于连接的多个所述探针的对位切割支撑连接点进行同步切割，以获得独立的多个所述探针。通过本发明的制作半导体测试探针突破了MEMS探针工艺对电镀材料与性能的局限，并且能够实现半导体测试探针的亚微米加工精度。
本发明授权一种半导体测试的多元合金探针及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试的多元合金探针制作方法，其特征在于，包括步骤： 将合金材料进行压片，获得多个预设厚度的合金片材； 在每个所述合金片材上制作对位孔，所述对位孔作为切割探针的针尖时的对位靶标； 对所述合金片材进行光刻处理，以确定半蚀刻处理的区域，并形成探针针头结构； 基于所述对位孔，对每个制作对位孔后的合金片材对应所述针尖的区域进行半蚀刻处理； 根据所述探针的目标尺寸，通过超快激光切割所述合金片材，以获得连接的多个所述探针； 基于连接的多个所述探针的对位切割支撑连接点进行同步切割，以获得独立的多个所述探针； 其中，所述半蚀刻处理包括： 根据所述合金片材的厚度、预设针尖的尺寸，计算所述合金片材的蚀刻厚度，计算公式为： 其中，a为所述合金片材的厚度；b为所述预设针尖的尺寸；c为所述合金片材的蚀刻厚度； 通过氯化铜溶液或三氯化铁溶液基于所述合金片材的蚀刻厚度对所述合金片材中对应针尖的区域进行半蚀刻。
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