华南理工大学宁洪龙获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种实现薄膜晶体管防护的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111600699.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种实现薄膜晶体管防护的制备方法是由宁洪龙;刘泰江;姚日晖;钟锦耀;邹文昕;吴振宇;张康平;郭晨潇;付钰斌;彭俊彪设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种实现薄膜晶体管防护的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种实现薄膜晶体管防护的制备方法。本发明先在有源层上方旋涂一层较薄的阻挡层，然后通过一种打印刻蚀的方式，利用导电墨水的溶剂对阻挡层进行定位刻蚀，在外向马朗格尼流动下，绝缘的阻挡层溶质被迁移到外围，而中心形成了较薄且均匀平坦的电极层，进而改善了有源层与导电层之间的界面接触，同时实现了TFT器件的有效防护，工艺简单、耗时短且适于大面积制备。
本发明授权一种实现薄膜晶体管防护的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种实现薄膜晶体管防护的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）将金属氧化物有源层进行氧等离子体亲水处理，然后将绝缘材料溶液旋涂至金属氧化物有源层表面，固化，形成绝缘阻挡层； 所述绝缘材料溶液的溶剂为乙二醇、丙三醇和2,3-丁二醇中的至少一种； （2）通过喷墨打印的方式，将导电墨水沉积到绝缘阻挡层上，导电墨水的溶剂侵蚀绝缘阻挡层，同时导电墨水中的功能材料形成源漏电极，去除导电墨水的溶剂，得到防护薄膜晶体管； 所述导电墨水的溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇甲醚和三乙二醇甲醚中的至少一种； 步骤（1）所述绝缘阻挡层厚度为10～60nm；步骤（2）所述导电墨水沉积到绝缘阻挡层上，侵蚀后绝缘阻挡层的厚度为3～10nm。
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