西安市西无二电子信息集团有限公司张西鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉西安市西无二电子信息集团有限公司申请的专利一种环型电容电压传感器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114487539B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111482062.7，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一种环型电容电压传感器结构是由张西鹏;刘兴书;任新军;杨斌;陈榆秀;李治设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环型电容电压传感器结构在说明书摘要公布了：本发明涉及电子元器件领域，尤其涉及高压陶瓷电容芯片的并联结构。该结构包括至少两个陶瓷电容芯片；陶瓷电容芯片的一端电极进行导电固定连接，连接处为高压输入端；另一端电极与外部金属连接件导电固定连接，外部金属连接件为低压输出端；陶瓷电容芯片形成并联连接且均匀分布于外部金属连接件内部。外部金属连接件对陶瓷电容芯片起到屏蔽作用，使陶瓷电容芯片在高压智能电网中使用时产生分布均匀的电场从而减少对所传输信号的干扰，并且减少与陶瓷电容芯片所连接的线缆以及其他测量器件产生的杂散电容对陶瓷电容芯片的干扰影响，保证了电压信号的稳定。
本发明授权一种环型电容电压传感器结构在权利要求书中公布了：1.一种环型电容电压传感器结构，其特征在于,包括至少两个陶瓷电容芯片，所述陶瓷电容芯片的一端电极与中心金属连接件导电固定连接，中心金属连接件为高压输入端，所述中心金属连接件为高度大于陶瓷电容芯片直径的中空管状或中空环网状结构；所述陶瓷电容芯片的另一端电极与外部金属连接件导电固定连接，外部金属连接件为低压输出端；所述陶瓷电容芯片形成并联连接且均匀分布于中心金属连接件与外部金属连接件之间；所述外部金属连接件的高度大于陶瓷电容芯片的直径，所述外部金属连接件对陶瓷电容芯片进行屏蔽，所述中空管状或中空环网状结构与外部金属连接件使陶瓷电容芯片的电场均匀分布。
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