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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利存算一体单元及逻辑功能可重构的存算一体电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114244348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111471864.8，技术领域涉及：H03K19/20；该发明授权存算一体单元及逻辑功能可重构的存算一体电路是由崔岩;罗军;杨美音;许静设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本存算一体单元及逻辑功能可重构的存算一体电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种逻辑功能可重构的存算一体电路，该电路包括：级联的输入级和N级输出级，输入级包括2N个STT‑MTJ，之后每级的STT‑MTJ数量均为其前一级STT‑MTJ数量的一半，位于前一级的两个STT‑MTJ与后一级的一个STT‑MTJ构成两输入单输出的存算一体单元，通过不同的配置条件，每个两输入单输出的存算一体单元，用于实现“与非”、“或非”、“与”和“或”四种逻辑。本发明能够在同一电路架构下实现数据存储和逻辑计算，且可以实现不同逻辑功能重构。

本发明授权存算一体单元及逻辑功能可重构的存算一体电路在权利要求书中公布了：1.一种逻辑功能可重构的存算一体电路，其特征在于，包括： 输入级，包括2N个STT-MTJ，每个STT-MTJ分别存储1比特的数据； N级输出级，其中第1级输出级包括2N-1个STT-MTJ，之后的各级输出级满足：后一级输出级所包括的STT-MTJ的个数均为其前一级输出级所包括的STT-MTJ的个数的一半，直至第N级输出级仅包括一个STT-MTJ； 多个开关，所述多个开关设置于所述输入级与所述第1级输出级之间以及各级输出级之间，用于配置所述输入级与所述第1级输出级中的STT-MTJ之间的连接方式以及各级输出级中的STT-MTJ之间的连接方式； 所述输入级中每两个STT-MTJ为一组，与所述第1级输出级中一个STT-MTJ一一对应，通过配置所述输入级与所述第1级输出级之间的开关，构成2N-1个两输入单输出的存算一体单元，所述输入级中两个STT-MTJ作为两个输入STT-MTJ，所述第1级输出级中一个STT-MTJ作为输出STT-MTJ，两个所述输入STT-MTJ的自由层侧作为电压输入端，连接操作电压的正端；两个所述输入STT-MTJ的参考层侧与所述输出STT-MTJ的参考层侧连接；所述输出STT-MTJ的自由层侧作为接地端，连接操作电压的负端；或者，两个所述输入STT-MTJ的参考层侧作为电压输入端，连接操作电压的正端；两个所述输入STT-MTJ的自由层侧与所述输出STT-MTJ的自由层侧连接；所述输出STT-MTJ的参考层侧作为接地端，连接操作电压的负端； 所述N级输出级中，前一级输出级中每两个STT-MTJ为一组，与后一级输出级中一个STT-MTJ一一对应，通过配置前一级输出级与后一级输出级之间的开关，构成与后一级输出级中STT-MTJ数量相等的两输入单输出的存算一体单元，前一级输出级中两个STT-MTJ作为两个输入STT-MTJ，后一级输出级中一个STT-MTJ作为输出STT-MTJ，两个所述输入STT-MTJ的自由层侧作为电压输入端，连接操作电压的正端；两个所述输入STT-MTJ的参考层侧与所述输出STT-MTJ的参考层侧连接；所述输出STT-MTJ的自由层侧作为接地端，连接操作电压的负端；或者，两个所述输入STT-MTJ的参考层侧作为电压输入端，连接操作电压的正端；两个所述输入STT-MTJ的自由层侧与所述输出STT-MTJ的自由层侧连接；所述输出STT-MTJ的参考层侧作为接地端，连接操作电压的负端。

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