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买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！ 龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利含InGaN子阱结构的YAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法成功实施成果转化。 龙图腾网通过国家知识产权局官网在2021-07-09发布的专利公告中获悉：该专利的专利申请号/专利号为：2021103357561，技术领域属于H01L29/88(20060101)；该专利含InGaN子阱结构的YAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法是由西安电子科技大学设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。 本发明公开了一种含InGaN子阱结构的YAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有GaN共振隧穿二极管峰值电流低、峰谷电流比小和性能一致性差的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、n+GaN发射极欧姆接触层、GaN隔离层、第一势垒层、第二势垒层、InN隔离层、n+InN集电极欧姆接触层、集电极电极，其中两势垒层之间依次为第一GaN主量子阱层、In组分为3％‑5％的InGaN子量子阱层、第二GaN主量子阱层；两势垒层的Y组分均为6％‑15％的YAlN。本发明共振隧穿二极管峰值电流高、峰谷电流比大、峰值隧穿电压低、具有对称特性微分负阻效应，可用于高频太赫兹辐射源和高速数字电路。 龙图腾网（www.lotut.com）是知识产权全产业链服务平台，平台围绕知识产权代理、知识产权管理、商标查询、商标转让交易、专利检索、专利转让运营、科技成果转化等，通过“互联网+知识产权”的方式，整合资源与服务，为广大知识产权代理机构、科技咨询公司、律师事务所以及各类科技创新企业、科研院所、大专院校等，提供龙图腾商标专利检索分析平台、龙图腾知识产权管家、龙图腾知识产权交易平台等人工智能大数据云产品服务、知识产权服务、科技成果转移转化服务等。 法律声明：当前页面专利信息仅供研究，该信息不具备任何法律效应。实际以国家专利局为准。 如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，欢迎咨询龙图腾网官方客服，联系电话0551-65771310 或微信搜索“龙图腾网”。 龙图腾网（www.lotut.com） 是知识产权全产业链服务平台，平台围绕知识产权代理、知识产权管理、商标查询、商标转让交易、专利检索、专利转让运营、科技成果转化等， 通过“互联网+知识产权”的方式，整合资源与服务，为广大知识产权代理机构、科技咨询公司、律师事务所以及各类科技创新企业、科研院所、大专院校等，提供 龙图腾商标专利检索分析平台 、 龙图腾知识产权管家 、 龙图腾知识产权交易平台 等人工智能大数据云产品服务、知识产权服务、科技成果转移转化服务等。 法律声明：当前页面专利信息仅供研究，该信息不具备任何法律效应，实际以国家专利局为准。 如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，欢迎咨询龙图腾网官方客服，联系电话 0551-65771310 或微信搜索“龙图腾网”。 |
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