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当前位置: 首页 > 专利交易 > 恭喜杭州电子科技大学张永军老师一件发明专利完成成果转化

恭喜杭州电子科技大学张永军老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2022年06月16日 来源:龙图腾

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龙图腾网恭喜杭州电子科技大学申请的专利一种横向纳米腔阵列结构SERS基底及其制备方法成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2019-07-23发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:2019102655602,技术领域属于G01N21/65(20060101);该专利一种横向纳米腔阵列结构SERS基底及其制备方法是由杭州电子科技大学设计研发完成,并于2019-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本发明属于纳米复合材料技术领域,尤其涉及一种横向纳米腔阵列结构SERS基底,由内部设有一个中空腔体的半开放空心微球构成,其在水平方向上设置有一个横向开孔,所述的半开放空心微球其内层为表面修饰了4‑MBA探针分子的TiO2薄膜,在TiO2薄膜外部还镀有一层贵金属薄膜。其通过结合模板法制备而成,以等离子体清洗的聚苯乙烯小球阵列为支撑,将TiO2和贵金属经倾角磁控溅射的手段获得。本发明克服了现有技术中的SERS基底无法有效构建出电场强度相同而电流密度不同电学环境的缺陷,通过本发明可构建电场强度相同但电流密度不同电学环境,以此可用于研究等离子体诱导的电荷转移机制以及SERS物理增强与化学增强的中间态理论。

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