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恭喜杭州电子科技大学张钰老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2022年07月12日 来源:龙图腾

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龙图腾网恭喜杭州电子科技大学申请的专利一种高探测效率的单光子雪崩二极管及其制作方法成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2019-02-01发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:201810935425X,技术领域属于H01L29/861(2006.01)I;该专利一种高探测效率的单光子雪崩二极管及其制作方法是由杭州电子科技大学设计研发完成,并于2018-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本发明公开了一种高探测效率的单光子雪崩二极管及其制作方法。传统单光子雪崩光电二极管的倍增区比较薄,进而导致探测灵敏度和光子探测效率普遍较低。本发明高探测效率的单光子雪崩二极管,包括同轴设置的p‑衬底层、p外延层、n+埋层、n型电荷层、反型深n阱、p型电荷层、p‑型半导体层、n阱层、浅沟槽隔离层、p型半导体层、n+型半导体层、p+型光吸收层、二氧化硅抗反射膜、氮化硅抗反射膜、阳极电极和阴极电极。本发明采用p+型光吸收层、p型半导体层以及p型电荷层组合形成P+/P/P型电荷层结构,有利于电流先横向扩展然后再流向雪崩倍增区,增大光谱响应,有效地提高其对光波长的吸收。

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