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当前位置: 首页 > 专利交易 > 恭喜重庆邮电大学陈伟中老师一件发明专利完成成果转化

恭喜重庆邮电大学陈伟中老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2022年09月01日 来源:龙图腾

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龙图腾网恭喜重庆邮电大学申请的专利一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC‑LIGBT成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2018-04-17发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:2017111369070,技术领域属于H01L29/739(2006.01)I;该专利一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC‑LIGBT是由重庆邮电大学设计研发完成,并于2017-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本发明涉及一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC‑LIGBT,属于半导体功率器件领域。该晶体管包括从左至右设置的发射极、栅极、N‑漂移区、槽型SiO2埋层、集电极。集电极包括左右设置的垂直缓冲层N‑buffer和具有空穴发射能力的垂直P集电极P‑Collector。在击穿时N‑漂移区中的槽型SiO2埋层将晶体管的表面电场引向体内,使得体内电场大大增强,从而提高了晶体管的击穿电压。本发明的击穿电压能达到342.4V,在正向导通IGBT模式下消除了snapback现象,提高了RC‑LIGBT的性能。

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