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买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！ 龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法成功实施成果转化。 龙图腾网通过国家知识产权局官网在2011-09-21发布的专利公告中获悉：该专利的专利申请号/专利号为：201110122724X，技术领域属于H01L29/78(2006.01)I；该专利N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法是由西安电子科技大学设计研发完成，并于2011-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。 本发明公开了一种N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件的反型层电子迁移率低和减小导通电阻与提高击穿电压之间的矛盾问题。其特点是在传统VDMOS器件结构的SiO2隔离介质(2)和P-层(7A)之间引入厚度为0.1μm、氮离子掺杂浓度为5×1015cm-3的N-隐埋沟道层(3)，在P+层(7B)和N-外延层(10)之间引入厚度为0.5～0.6μm、氮离子掺杂浓度为5×1016～1×1017cm-3的N型电流扩散层(8)，并将P阱分为P-层(7A)和P+层(7B)两层，其中P-层(7A)的厚度为0.5μm、铝离子掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3，P+层(7B)的厚度为0.2μm，铝离子掺杂浓度为3×1018cm-3。本发明器件具有反型层电子迁移率高、开关反应速度快和功耗低的优点，可用于大功率电气设备、太阳能模块以及混合燃料电动车。 龙图腾网（www.lotut.com）是知识产权全产业链服务平台，平台围绕知识产权代理、知识产权管理、商标查询、商标转让交易、专利检索、专利转让运营、科技成果转化等，通过“互联网+知识产权”的方式，整合资源与服务，为广大知识产权代理机构、科技咨询公司、律师事务所以及各类科技创新企业、科研院所、大专院校等，提供龙图腾商标专利检索分析平台、龙图腾知识产权管家、龙图腾知识产权交易平台等人工智能大数据云产品服务、知识产权服务、科技成果转移转化服务等。 如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，欢迎咨询龙图腾网官方客服，联系电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。 |
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