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买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！ 龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利提高横向导电结构SiC MOSFET沟道迁移率的方法成功实施成果转化。 龙图腾网通过国家知识产权局官网在2016-01-27发布的专利公告中获悉：该专利的专利申请号/专利号为：2015104861822，技术领域属于H01L21/336(2006.01)I；该专利提高横向导电结构SiC MOSFET沟道迁移率的方法是由西安电子科技大学设计研发完成，并于2015-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。 本发明实施例涉及一种提高横向导电结构SiC MOSFET沟道迁移率的方法,包括：在P型SiC衬底上经过外延工艺形成MOSFET的N-漂移区；在N-漂移区内经过注入工艺形成MOSFET的源区和漏区；对已形成源区和漏区的SiC外延片的外延表面在200℃下进行紫外线氧化；RCA清洗，使得在外延表面形成Si界面结构；将SiC外延片在300℃氧气气氛中进行等离子体增强化学气相淀积PECVD预处理，将所述外延表面的Si界面结构氧化成SiO2界面层；在所述SiO2界面层上进行氧化淀积和退火，形成隔离介质层；制备多晶硅栅极和源、漏金属电极，从而形成所述横向导电结构SiC MOSFET。 龙图腾网（www.lotut.com）是知识产权全产业链服务平台，平台围绕知识产权代理、知识产权管理、商标查询、商标转让交易、专利检索、专利转让运营、科技成果转化等，通过“互联网+知识产权”的方式，整合资源与服务，为广大知识产权代理机构、科技咨询公司、律师事务所以及各类科技创新企业、科研院所、大专院校等，提供龙图腾商标专利检索分析平台、龙图腾知识产权管家、龙图腾知识产权交易平台等人工智能大数据云产品服务、知识产权服务、科技成果转移转化服务等。 如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，欢迎咨询龙图腾网官方客服，联系电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。 |
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