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电子科技大学邓小川老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2022年10月27日 来源:龙图腾

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2016-11-09发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:2016105998051,技术领域属于H01L29/78(2006.01)I;该专利集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法是由电子科技大学设计研发完成,并于2016-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本发明提供一种集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法,器件包含金属漏电极、漏极欧姆接触区、碳化硅N+衬底、碳化硅N飘移区、第一Pbase区、第二Pbase区、第三Pbase区、N+源区、P+欧姆接触区、场氧化层、第二多晶硅栅、温度传感器P+离子注入区、金属源金极、第一栅介质、第一多晶硅栅、温度传感器阳极金属、温度传感器阴极金属,本发明利用肖特基二极管作为温度传感器,把温度传感器集成到碳化硅VDMOS的Pbase区中,并单独为传感器增加两个电极,通过利用碳化硅材料作为温度传器,实现了耐高温的温度传感器,工作温度0‑300℃,电流和温度有良好的线性,在实现了器件工作温度检测的同时,消除了传感器对于碳化硅VDMOS反向耐压的影响,最小化了版图开销。

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