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买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！ 龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管成功实施成果转化。 龙图腾网通过国家知识产权局官网在2016-11-16发布的专利公告中获悉：该专利的专利申请号/专利号为：2016105427572，技术领域属于H01L29/78(2006.01)I；该专利一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管是由中国科学院微电子研究所设计研发完成，并于2016-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。 本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：衬底、P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，栅极包括：第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极和衬底之间；第一栅极与第二栅极之间的栅氧化层厚度为第一厚度；第二栅极与衬底之间的栅氧化层厚度为第二厚度；其中，所述第二栅极通过开关与刷新结构连接，以能将所述第二栅极刷新至初始电位。本发明提供的晶体管，用以解决现有技术中的VDMOS需要较厚的栅氧化层厚度来满足电压要求，但较厚的栅氧化层会加速器件受到辐照时阈值电压的漂移，导致的易出现阈值电压漂移失效的技术问题。实现了减缓阈值电压漂移，提高可靠性的技术效果。 龙图腾网（www.lotut.com）是知识产权全产业链服务平台，平台围绕知识产权代理、知识产权管理、商标查询、商标转让交易、专利检索、专利转让运营、科技成果转化等，通过“互联网+知识产权”的方式，整合资源与服务，为广大知识产权代理机构、科技咨询公司、律师事务所以及各类科技创新企业、科研院所、大专院校等，提供龙图腾商标专利检索分析平台、龙图腾知识产权管家、龙图腾知识产权交易平台等人工智能大数据云产品服务、知识产权服务、科技成果转移转化服务等。 如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，欢迎咨询龙图腾网官方客服，联系电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。 |
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