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当前位置: 首页 > 专利交易 > 恭喜中国科学院微电子研究所丁艳老师一件发明专利完成成果转化

恭喜中国科学院微电子研究所丁艳老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2022年11月21日 来源:龙图腾

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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2016-03-16发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:2015107421769,技术领域属于H01L29/78(2006.01)I;该专利一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET是由中国科学院微电子研究所设计研发完成,并于2015-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本发明公开了一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET,包括:衬底101;覆盖在衬底101内的第一结构层102;覆盖在第一结构层102内的第二结构层103;覆盖在第二结构层103内的第三结构层104;位于第三结构层104顶部的源接触孔108;横跨在第三结构层104、第二结构层103、第一结构层102上方的沟槽109;横跨在第三结构层104、第二结构层103、第一结构层102上方,位于沟槽109内的多晶硅栅极106;位于多晶硅栅极106外侧侧壁和底部的栅介质层105;位于多晶硅栅极106顶部的栅接触孔107;由衬底101、第一结构层102、第二结构层103、第三结构层104形成的上表面层110;其中,所述衬底101、第一结构层102、第三结构层104为第一导电类型,所述第二结构层103为第二导电类型。

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