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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种SOINMOS总剂量辐照建模方法成功实施成果转化。 龙图腾网通过国家知识产权局官网在2012-03-14发布的专利公告中获悉：该专利的专利申请号/专利号为：2010102519857，技术领域属于G06F17/50(2006.01)I；该专利一种SOINMOS总剂量辐照建模方法是由中国科学院微电子研究所设计研发完成，并于2010-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。 本发明公开了一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法，属于提参建模技术领域。所述方法包括：获取SOI NMOS辐照前模型参数，并在模型参数中加入与总剂量相关的参数，形成含有未知参数的SOI NMOS总剂量辐照模型；获取SOINMOS总剂量辐照模型中未知参数的数值，形成最终的总剂量辐照模型。通过本发明的建模方法，使得总剂量辐照模型更加全面可靠；另外，本发明还实现了对新加模型参数提取的自动化，使得复杂的提参建模变得更加简单和高效。 龙图腾网（www.lotut.com）是知识产权全产业链服务平台，平台围绕知识产权代理、知识产权管理、商标查询、商标转让交易、专利检索、专利转让运营、科技成果转化等，通过“互联网+知识产权”的方式，整合资源与服务，为广大知识产权代理机构、科技咨询公司、律师事务所以及各类科技创新企业、科研院所、大专院校等，提供龙图腾商标专利检索分析平台、龙图腾知识产权管家、龙图腾知识产权交易平台等人工智能大数据云产品服务、知识产权服务、科技成果转移转化服务等。 如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，欢迎咨询龙图腾网官方客服，联系电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。 |
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